三星與AMD簽訂價(jià)值30億美元的新協(xié)議：將供應(yīng)12層堆疊的HBM3E

　　去年10月，三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動(dòng)，宣布推出代號(hào)為“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月，三星宣布已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊，容量為36GB，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產(chǎn)品。隨后三星開(kāi)始向客戶提供了樣品，計(jì)劃下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。

　　據(jù)Viva100報(bào)道，三星已經(jīng)與AMD簽訂價(jià)值30億美元的新協(xié)議，將供應(yīng)HBM3E 12H DRAM，預(yù)計(jì)會(huì)用在Instinct MI350系列上，。據(jù)稱，三星還同意購(gòu)買AMD的GPU以換取HBM產(chǎn)品的交易，但是具體的產(chǎn)品和數(shù)量暫時(shí)還不清楚。

　　傳聞AMD計(jì)劃在今年下半年推出Instinct MI350系列，屬于Instinct MI300系列的升級(jí)版本。其采用了臺(tái)積電(TSMC)的4nm工藝制造，以提供更強(qiáng)的性能并降低功耗。由于采用了12層堆疊的HBM3E，提高帶寬的同時(shí)還加大了容量。

　　三星的HBM3E 12H DRAM提供了高達(dá)1280GB/s的帶寬，加上36GB容量，均比起之前的8層堆棧產(chǎn)品提高了50%。由于采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù)，使得12層產(chǎn)品與8層產(chǎn)品有著相同的高度規(guī)格，滿足了當(dāng)前HBM封裝的要求。該技術(shù)還通過(guò)芯片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能，在芯片鍵合過(guò)程中，較小凸塊用于信號(hào)傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域，將有助于提高產(chǎn)品的良品率。

　　按照三星的說(shuō)法，在人工智能應(yīng)用中，采用HBM3E 12H DRAM預(yù)計(jì)比HBM3E 8H DRAM的訓(xùn)練平均速度提高34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也將增加超過(guò)11.5倍。

　　有業(yè)內(nèi)人士稱，該筆交易與三星晶圓代工的談判是分開(kāi)的。此前有傳言稱，AMD下一代CPU/GPU將引入三星的工藝。