消息稱美光將斥資至多八千億日元，新建廣島EUV光刻DRAM內(nèi)存晶圓廠

　　據(jù)日媒《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，美光將斥資 6000~8000 億日元(IT之家備注：當(dāng)前約 277.2~369.6 億元人民幣)，在日本廣島建設(shè)新的 DRAM 內(nèi)存晶圓廠。

　　該晶圓廠將引進(jìn) EUV 光刻機(jī)，計(jì)劃于 2026 年初動(dòng)工，有望于 2027 年末正式投產(chǎn)。

　　美光將在 2025 年量產(chǎn)的下代 1-gamma (nm) 節(jié)點(diǎn)正式導(dǎo)入 EUV 光刻技術(shù)。考慮到 DRAM 行業(yè)的代際周期，美光廣島新工廠屆時(shí)將具備生產(chǎn) 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。

　　報(bào)道指，美光原計(jì)劃在今年就啟動(dòng)新晶圓廠的運(yùn)行，這樣就能在 2025 年量產(chǎn)后的第一時(shí)間擴(kuò)充 1-gamma DRAM 制造能力。

　　但由于此前半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是存儲(chǔ)領(lǐng)域的衰退，美光對(duì)投資計(jì)劃進(jìn)行了調(diào)整，放緩了產(chǎn)能擴(kuò)張的速度。

　　美光建設(shè)新廠的部分開支將來源于日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的補(bǔ)貼，這筆資金至高可達(dá) 1920 億日元(當(dāng)前約 88.7 億元人民幣)。