美光12層堆疊HBM內(nèi)存即將放量 目標(biāo)占據(jù)20%市場(chǎng)份額

　　美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy在Wolfe Research會(huì)議上透露，公司即將大規(guī)模量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品的容量是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的1.5倍，功耗卻低20%，展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

　　Murphy強(qiáng)調(diào)，無(wú)論三星電子在HBM業(yè)務(wù)上的表現(xiàn)如何，美光的目標(biāo)是在HBM領(lǐng)域取得與整體DRAM相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)占比，即20%。隨著HBM產(chǎn)能的提升，美光的財(cái)務(wù)狀況也將得到改善。

　　對(duì)于NAND閃存業(yè)務(wù)，Murphy表示行業(yè)整體疲軟，因此美光決定減緩制程遷移，如推遲升級(jí)至最新的278層節(jié)點(diǎn)，以降低供應(yīng)能力并推進(jìn)庫(kù)存消耗。預(yù)計(jì)到2025年，市場(chǎng)狀況將逐步好轉(zhuǎn)。