消息稱三星電子已將 1c nm 內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年，恐影響 HBM4

　　1 月 21 日消息，韓媒 MoneyToday 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月，而這一變化可能會(huì)影響到三星對(duì) HBM4 內(nèi)存的規(guī)劃。

　　三星電子原計(jì)劃在 2024 年 12 月將 1c nm 制程 DRAM 的良率提升至 70%，達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、進(jìn)入量產(chǎn)階段所需的水平。但在實(shí)際情況中，三星雖于去年底成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整體良率卻無(wú)法滿足要求。

　　三星上代 1b nm 內(nèi)存于 2022 年 10 月完成開發(fā)、2023 年 5 月量產(chǎn);如果 1c nm 的開發(fā)結(jié)束時(shí)間定于今年中，那么量產(chǎn)就要落到 2025 年底，兩代 DRAM 工藝間的間隔會(huì)來(lái)到約 2.5 年，這明顯長(zhǎng)于 1.5 年的業(yè)界一般開發(fā)周期。

　　另一方面，三星電子在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域的兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月宣布 1c nm 開發(fā)成功，而美光內(nèi)部的計(jì)劃是在今年 4 月完成開發(fā);三星很可能成為最后一家官宣 1c nm DRAM 的三大原廠。

　　1c nm DRAM 本身的推遲也將影響到后續(xù)內(nèi)存產(chǎn)品的進(jìn)度，尤其是在三星期許通過(guò)其重奪 HBM 市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的 HBM4 上。三星此前計(jì)劃在 2025 年內(nèi)量產(chǎn)基于 1c nm DRAM 和 4nm 邏輯芯片的 HBM4，以領(lǐng)先制程贏得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　業(yè)內(nèi)消息人士表示，三星電子也在對(duì) 1c nm DRAM 的設(shè)計(jì)進(jìn)行調(diào)整，并盡可能地加快開發(fā)時(shí)間。