芯片競(jìng)爭(zhēng)加劇：三星砸千億在美建廠，死磕臺(tái)積電

　　1月25日消息，據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星將投資 170 億美元(折合約 1101 億人民幣)在美建芯片代工廠，其地址可能位于美國(guó)亞利桑那州、德克薩斯州或者紐約。這一舉措可能與臺(tái)積電之前在美國(guó)亞利桑那州投資建設(shè)新廠有關(guān)。

　　據(jù)稱，三星為了追趕在先進(jìn)制程工藝上領(lǐng)先的臺(tái)積電，將跳過(guò) 4nm 工藝，直接建設(shè)可量產(chǎn) 3nm 芯片的晶圓廠。

　　知情人士分析，這可能是三星第一家在美國(guó)使用 EUV(極紫外輻射)光刻機(jī)的晶圓代工廠。

　　一、砸 170 億美元，在美建 3nm 廠

　　據(jù)相關(guān)文件和熟悉韓國(guó)三星電子計(jì)劃的人士透露，該公司正考慮投資至多 170 億美元，在美國(guó)亞利桑那州、德克薩斯州或紐約建設(shè)一家晶圓代工廠，預(yù)計(jì) 2023 年投入使用。

　　據(jù)報(bào)道，三星去年十月就在美國(guó)德州奧斯汀購(gòu)買了十萬(wàn)平方米的土地，并且在十二月開(kāi)始申請(qǐng)將土地用途變更為工業(yè)開(kāi)發(fā)用地。

　　目前三星在奧斯汀的晶圓代工廠主要生產(chǎn)基于 14nm、28nm 以及 32nm 工藝的芯片，工藝較為落后。

　　而且花旗銀行的研究報(bào)告也曾顯示目前奧斯汀的工廠產(chǎn)能較小，無(wú)法滿足英特爾、高通和特斯拉等公司不斷增加的芯片外包業(yè)務(wù)。

　　因此有分析人士認(rèn)為，奧斯汀有較大希望成為三星新工廠的地址，員工數(shù)量預(yù)估為 1900 人。

　　二、或?yàn)闋?zhēng)取美國(guó)芯片激勵(lì)政策優(yōu)惠

　　三星這項(xiàng)提議提出之時(shí)，美國(guó)正在考慮撥出數(shù)十億美元資金來(lái)發(fā)展美國(guó)芯片制造業(yè)，減少對(duì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、中國(guó)大陸地區(qū)和韓國(guó)的依賴。

　　今年 1 月通過(guò)的《國(guó)防授權(quán)法案》中(National Defense Authorization Act)也包括了新的芯片制造激勵(lì)措施。

　　為了達(dá)成交易，三星需要時(shí)間與美國(guó)政府就潛在的激勵(lì)措施，如稅收優(yōu)惠和財(cái)政補(bǔ)貼等方面進(jìn)行談判。

　　知情人士說(shuō)，該公司已在華盛頓聘請(qǐng)人員代表交易進(jìn)行游說(shuō)，并準(zhǔn)備在美國(guó)新政府成立后繼續(xù)進(jìn)行。

　　其中一位人士表示，稅收優(yōu)惠和補(bǔ)貼將減輕三星的財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)，但三星即使在沒(méi)有稅收優(yōu)惠和補(bǔ)貼的情況下也不會(huì)放棄繼續(xù)在美發(fā)展。

　　在與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，三星在美建設(shè)工廠的舉動(dòng)可能會(huì)有助于這家韓國(guó)芯片制造商與美國(guó)的關(guān)鍵客戶達(dá)成更好的協(xié)議。

　　三、三星低價(jià)挖客戶，臺(tái)積電先發(fā)占優(yōu)勢(shì)

　　目前三星已經(jīng)在內(nèi)存芯片市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，并試圖在利潤(rùn)更豐厚的智能手機(jī)芯片與電腦處理器芯片市場(chǎng)擴(kuò)大占有率，它和臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)也趨近于白熱化。

　　如今雖然三星失去了蘋(píng)果的訂單，但卻通過(guò)低價(jià)收獲了高通、英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科等新客戶的訂單，其中高通和聯(lián)發(fā)科的芯片過(guò)去都由臺(tái)積電獨(dú)家供應(yīng)。

　　三星也曾表示計(jì)劃在 2030 年前向代工和芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)投資 1160 億美元，旨在 2022 年推出采用 3nm 工藝的芯片，從而趕超臺(tái)積電。

　　本次在美投資的 170 億美元建廠很可能是這個(gè)宏偉計(jì)劃的一部分。

　　不過(guò)想要擊敗行業(yè)霸主臺(tái)積電并不容易，韓國(guó)投資銀行 HMC Securities 的高級(jí)副總裁 Greg Roh 表示：“如果三星真的想在 2030 年前成為最大的芯片制造商，它需要在美國(guó)進(jìn)行大量投資，才能趕上臺(tái)積電。”

　　去年 5 月，臺(tái)積電宣布在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)的工廠將采用 5nm 制程技術(shù)生產(chǎn)芯片，規(guī)劃月產(chǎn)能為 20000 片晶圓，將直接創(chuàng)造超過(guò) 1600 個(gè)高科技專業(yè)工作機(jī)會(huì)，預(yù)計(jì)為該建廠項(xiàng)目支出約 120 億美元。此前臺(tái)積電在美國(guó)華盛頓州卡瑪斯市建有一座晶圓廠。

　　臺(tái)積電在美 5nm 芯片廠計(jì)劃在 2021 年開(kāi)工，2024 年開(kāi)始生產(chǎn)。如果外媒報(bào)道的三星赴美建 3nm 廠、計(jì)劃 2023 年投用的消息為真，那么無(wú)論從技術(shù)先進(jìn)性和投用時(shí)間來(lái)看，三星均有望在爭(zhēng)取美國(guó)政府資源方面獲得更多優(yōu)勢(shì)。

　　就目前而言，臺(tái)積電在 5nm 芯片量產(chǎn)、確定美國(guó)亞利桑那州建廠計(jì)劃等方面均領(lǐng)先了三星一步，三星還需要與臺(tái)積電、SK 海力士和美光等公司爭(zhēng)奪 EUV 光刻機(jī)訂單，接下來(lái)的先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)于三星而言，仍將是一場(chǎng)難打的硬仗。

　　結(jié)語(yǔ)：三星臺(tái)積電上演晶圓代工龍爭(zhēng)虎斗

　　如果三星在美建 3nm 晶圓廠的計(jì)劃順利推進(jìn)，這家新廠有望成為三星第三家使用 EUV 光刻機(jī)的工廠，最早將于 2023 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

　　目前在先進(jìn)制程芯片代工的賽道上，臺(tái)積電、三星兩家巨頭正進(jìn)行愈發(fā)激烈的較量，并均展露出龐大的野心。相較之下，其他晶圓代工企業(yè)無(wú)論在技術(shù)儲(chǔ)備還是資金實(shí)力方面，都很難與這兩家公司抗衡。

　　顯然在未來(lái)的先進(jìn)制程之戰(zhàn)中，三星與臺(tái)積電的角逐，不僅將直接影響晶圓代工業(yè)的整體走向，而且將左右全球芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展勢(shì)頭。