性能提升30% 三星3nm GAA性能路線公開

　　近日舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星披露了最新工藝進展和路線圖。FinFET 晶體管結(jié)構(gòu)的潛力幾乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA環(huán)繞柵極，其中 3nm工藝有兩個版本，3GAE(低功耗版)將于2022年初量產(chǎn)。3GAP(高性能版)將于2023年初量產(chǎn)。

　　三星工藝進展和路線圖（圖片源自新浪微博@科技芯時空）

　　與5nm相比，三星新的3nm GAA可減少面積35%，同等功耗下性能提升30%，同等性能下功耗降低50%。

　　同時，三星首次披露2nm：2025年量產(chǎn)2nm工藝并未出現(xiàn)在公開路線圖上，但三星代工市場戰(zhàn)略高級副總裁MoonSoo Kang透露2GAP工藝將于2025年量產(chǎn)。這是三星首次公開其2nm工藝計劃，但三星也警告稱，新工藝的進展將取決于客戶的規(guī)劃和部署。