近日舉辦的三星代工論壇2021大會(huì)上,三星披露了最新工藝進(jìn)展和路線圖。FinFET 晶體管結(jié)構(gòu)的潛力幾乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA環(huán)繞柵極,其中 3nm工藝有兩個(gè)版本,3GAE(低功耗版)將于2022年初量產(chǎn)。3GAP(高性能版)將于2023年初量產(chǎn)。
三星工藝進(jìn)展和路線圖(圖片源自新浪微博@科技芯時(shí)空)
與5nm相比,三星新的3nm GAA可減少面積35%,同等功耗下性能提升30%,同等性能下功耗降低50%。
同時(shí),三星首次披露2nm:2025年量產(chǎn)2nm工藝并未出現(xiàn)在公開路線圖上,但三星代工市場(chǎng)戰(zhàn)略高級(jí)副總裁MoonSoo Kang透露2GAP工藝將于2025年量產(chǎn)。這是三星首次公開其2nm工藝計(jì)劃,但三星也警告稱,新工藝的進(jìn)展將取決于客戶的規(guī)劃和部署。
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