三星量產(chǎn)14納米EUV DDR5 DRAM芯片

　　三星電子近日宣布，它們已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界最小的14 納米 (nm) DRAM，基于極紫外 (EUV) 技術(shù)打造 。繼去年3月三星推出業(yè)界首款 EUV DRAM 后，三星已將EUV 層數(shù)增加到5層。

　　三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示：我們?cè)诮�三十年的時(shí)間里一直引領(lǐng)著 DRAM 市場(chǎng)。今天，三星通過(guò)多層 EUV技術(shù)達(dá)到了新的里程碑，是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 工藝無(wú)法達(dá)到的。在這基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)提供獨(dú)特的內(nèi)存解決方案，滿足 5G、AI 和元宇宙等的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域?qū)τ诟�高性能和容量的需求�?rdquo;

　　EUV 技術(shù)對(duì)于提高圖案化精度以實(shí)現(xiàn)更高性能和更高產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。通過(guò)在其 14 納米 DRAM 中應(yīng)用五個(gè) EUV 層，三星實(shí)現(xiàn)了最高位密度，同時(shí)將整體晶圓生產(chǎn)率提高了約 20%。此外，與上一代 DRAM 節(jié)點(diǎn)相比，14 納米工藝有助于將功耗降低近 20%。

　　利用最新的 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)，三星的 14 納米 DRAM速度能夠達(dá)到7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

　　三星計(jì)劃擴(kuò)展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。此外，三星預(yù)計(jì)將其 14 納米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。