SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發(fā)進展,可知新一代內(nèi)存標準不僅帶來了更高的帶寬,還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產(chǎn) HBM2E 內(nèi)存開始,該公司就已經(jīng)在著手 HBM3 新品的研發(fā)。隨著今日的公告,我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。
除了基于 8-Hi 堆棧的 16GB SKU,SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU,此外該公司提到其已將 DRAM 芯片的層高縮減至 30 μm 。
負責(zé) DRAM 開發(fā)的執(zhí)行副總裁 Seon-yong Cha 表示:
自推出全球首款 HBM DRAM 以來,SK 海力士在引領(lǐng) HBM2E 市場之后,又成功開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款 HBM3 DRAM 。
我們將繼續(xù)努力鞏固自身在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,并通過提供符合 ESG 管理標準的產(chǎn)品,來幫助提升客戶們的價值。
性能方面,SK 海力士預(yù)計其 HBM3 DRAM 的每個堆?商峁 819 GB/s 的帶寬,較 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提升了 78% 。
以英偉達 A100 加速卡為例,若在其 GPU 基板上整合 6 個 HBM2E DRAM 堆棧,總帶寬可沖擊 5 TB/s 。然而當(dāng)前的產(chǎn)品,僅受限于 2.0 TB/s 。
此外如果使用 24GB 的 HBM3 DRAM 芯片,其理論總?cè)萘靠蛇_到 144 GB 。即使考慮到 5 / 6 的良率,也還有 120GB 可用。
WCCFTech 推測,英偉達 Ampere 和 AMD CDNA 2 的繼任者(Ampere Next 與 CDNA 3),有望率先采用 HBM3 內(nèi)存。
那樣來年的高性能數(shù)據(jù)中心和機器學(xué)習(xí)平臺,將極大地受益于此。早些時候,Synopsys 還宣布其正在增加具有 HBM3 IP 和驗證解決方案的多芯片架構(gòu)設(shè)計。
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