SK海力士開發(fā)HBM3存儲器：帶寬819GB/s

　　SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發(fā)進展，可知新一代內(nèi)存標準不僅帶來了更高的帶寬，還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產(chǎn) HBM2E 內(nèi)存開始，該公司就已經(jīng)在著手 HBM3 新品的研發(fā)。隨著今日的公告，我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。

　　除了基于 8-Hi 堆棧的 16GB SKU，SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU，此外該公司提到其已將 DRAM 芯片的層高縮減至 30 μm 。

　　負責 DRAM 開發(fā)的執(zhí)行副總裁 Seon-yong Cha 表示：

　　自推出全球首款 HBM DRAM 以來，SK 海力士在引領 HBM2E 市場之后，又成功開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款 HBM3 DRAM 。

　　我們將繼續(xù)努力鞏固自身在高端內(nèi)存市場的領導地位，并通過提供符合 ESG 管理標準的產(chǎn)品，來幫助提升客戶們的價值。

　　性能方面，SK 海力士預計其 HBM3 DRAM 的每個堆�？商峁� 819 GB/s 的帶寬，較 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提升了 78% 。

　　以英偉達 A100 加速卡為例，若在其 GPU 基板上整合 6 個 HBM2E DRAM 堆棧，總帶寬可沖擊 5 TB/s 。然而當前的產(chǎn)品，僅受限于 2.0 TB/s 。

　　此外如果使用 24GB 的 HBM3 DRAM 芯片，其理論總?cè)萘靠蛇_到 144 GB 。即使考慮到 5 / 6 的良率，也還有 120GB 可用。

　　WCCFTech 推測，英偉達 Ampere 和 AMD CDNA 2 的繼任者(Ampere Next 與 CDNA 3)，有望率先采用 HBM3 內(nèi)存。

　　那樣來年的高性能數(shù)據(jù)中心和機器學習平臺，將極大地受益于此。早些時候，Synopsys 還宣布其正在增加具有 HBM3 IP 和驗證解決方案的多芯片架構(gòu)設計。