三星正在開發(fā) DDR6內(nèi)存和GDDR7顯存

　　DDR5內(nèi)存已經(jīng)來了，DDR6還會遠嗎?GDDR6/GDDR6X顯存普及了，GDDR7還會遠嗎?Tech Day 2021技術(shù)大會上，三星就展望了下一代內(nèi)存、顯存，頻率簡直逆天。DDR5內(nèi)存起步頻率是4800MHz，預計未來主流會在6400MHz，再高就屬于稀缺的旗艦型產(chǎn)品，或者玩家超頻。

　　雖然某國內(nèi)廠商早就宣稱要做到10GHz，但也就是個噱頭，估計在8.5GHz左右就差不多了。

　　DDR6的標準規(guī)范還沒有真正啟動，但內(nèi)存巨頭們早已開始布局，SK海力士此前就預計DDR6會在5-6年內(nèi)發(fā)展起來，預期頻率起步12GHz。

　　三星確認，已經(jīng)開始早期階段的DDR6研發(fā)工作，預計初始頻率將達12.8GHz，對比DDR5提高了幾乎1.7倍，而且預計能超頻到17GHz!

　　DDR5內(nèi)存雖然將內(nèi)部的一個64-bit通道拆分成了兩個32-bit，當然并不是真正的雙通道，還是必須兩條組合。

　　DDR6則會進一步拆分為四個內(nèi)部通道，Bank數(shù)量也會增加到64個。

　　顯存方面，三星確認正在開發(fā)GDDR6+，等效頻率最高24GHz。

　　GDDR7也在路線圖上了，預計頻率會提高到32GHz，并支持實時錯誤保護功能，但是三星暫無更多細節(jié)分享。

　　此外，三星還計劃在2022年第二季度量產(chǎn)下一代HBM3高帶寬內(nèi)存。

　　SK海力士最近剛剛率先完成研發(fā)并公開展示HBM3，單顆容量16/24GB，帶寬高達819GB/s，還支持ECC。