準(zhǔn)確率98％ 三星全球首秀MRAM磁阻內(nèi)存內(nèi)計算

　　三星半導(dǎo)體宣布，通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實現(xiàn)了基于MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲器)的內(nèi)存內(nèi)計算(In-Memory Computing)，進(jìn)一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技術(shù)的前沿領(lǐng)域。

　　在傳統(tǒng)的計算體系中，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)要轉(zhuǎn)移到處理芯片的數(shù)據(jù)計算單元中進(jìn)行處理，對于帶寬、時延要求非常高。

　　內(nèi)存內(nèi)計算則是一種新的計算模式，也可以叫做“存算一體化”，在內(nèi)存中同時執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)計算處理，無需往復(fù)移動數(shù)據(jù)。

　　同時，內(nèi)存網(wǎng)絡(luò)中的數(shù)據(jù)處理是以高度并行的方式執(zhí)行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。

　　對比其他存儲器，MRAM磁阻內(nèi)存在運(yùn)行速度、壽命、量產(chǎn)方面都有明顯優(yōu)勢，功耗也遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)DRAM，關(guān)鍵是還具有非易失的特點，即斷電不會丟失數(shù)據(jù)。

　　不過一直以來，MRAM磁阻內(nèi)存很難用于內(nèi)存內(nèi)計算，因為它在標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。

　　三星研究團(tuán)隊設(shè)計了一種名為“電阻總和”(resistance sum)的新型內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)，取代標(biāo)準(zhǔn)的“電流總和”(current-sum)架構(gòu)，成功開發(fā)了一種能演示內(nèi)存內(nèi)計算架構(gòu)的MRAM陣列芯片，命名為“用于內(nèi)存內(nèi)計算的磁阻內(nèi)存交叉陣列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。

　　這一陣列成功解決了單個MRAM器件的小電阻問題，從而降低功耗，實現(xiàn)了基于MRAM的內(nèi)存內(nèi)計算。

　　按照三星的說法，在執(zhí)行AI計算時，MRAM內(nèi)存內(nèi)計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別準(zhǔn)確率。