4 月 15 日消息,據(jù) BusinessKorea 的報(bào)道,三星已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo),即在今年 6 月前完成 11 納米的第六代 1c DRAM 芯片的開(kāi)發(fā)。據(jù)說(shuō)該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過(guò) 1b DRAM 的開(kāi)發(fā),這是一種 12 納米芯片。
此前有消息稱(chēng),三星已經(jīng)中斷了 12-13nm 工藝級(jí)別內(nèi)存研發(fā),表示三星 13nm 級(jí)別的內(nèi)存被間接承認(rèn)失敗。
報(bào)道稱(chēng),三星希望擴(kuò)大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距,這些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括 SK 海力士和美光科技。此外,這并不是三星第一次放棄 DRAM 的某些開(kāi)發(fā)階段而向更高層次發(fā)展。此前,三星放棄了 28 納米 DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn),專(zhuān)注于生產(chǎn) 25 納米 DRAM。
業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)為,對(duì)三星來(lái)說(shuō),生產(chǎn) 11 納米 DRAM 并不是一件容易的事,因?yàn)檫@需要先進(jìn)的技術(shù)。然而,據(jù) BusinessKorea 報(bào)道,三星希望找到一種方法,該公司在 1c DRAM 完成之前面臨著巨大的開(kāi)發(fā)壓力,因?yàn)槠湓?1a DRAM 的量產(chǎn)方面落后于其兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
IT之家了解到,內(nèi)存工藝在 20nm 節(jié)點(diǎn)之后就有不同斷代方法,之前用的是 1x、1y、1z,后來(lái)又有了 1a、1b、1c 工藝,不過(guò)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實(shí)際工藝也不完全是這樣,有時(shí)公布的還是數(shù)字 + nm 命名。
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