日前,在按計(jì)劃推進(jìn)3nm制程工藝下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電,也在研發(fā)更先進(jìn)的2nm制程工藝,他們的這一制程工藝,是計(jì)劃在2025年量產(chǎn)。臺(tái)積電透露,他們的2nm制程工藝將基于全新的納米片電晶體架構(gòu),與5nm工藝所采用的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)完全不同,會(huì)帶來更強(qiáng)的性能和更優(yōu)的能效,但所需要的投資也會(huì)更大。
三星晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人也曾表示,他們?cè)诎从?jì)劃推進(jìn)2nm制程工藝在2025年下半年量產(chǎn)。三星希望通過技術(shù)上的飛躍,快速縮小與臺(tái)積電的差距。3 納米工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%,同時(shí)與 5 納米工藝相比,芯片面積減少了 35%。
數(shù)據(jù)顯示,在 2021 年第四季度,臺(tái)積電占全球代工市場(chǎng)的 52.1%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過三星電子的 18.3%。
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