功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工藝下周量產(chǎn)

　　盡管臺積電過去幾年在7nm、5nm、4nm等先進工藝上占盡優(yōu)勢，但是三星一直在努力追趕，3nm節(jié)點將成為三星的一次關(guān)鍵，韓國媒體稱三星將在下周宣布3nm工藝量產(chǎn)，進度將領(lǐng)先臺積電。

　　據(jù)韓聯(lián)社消息，接近三星的消息人士稱，三星計劃在6月最后一周宣布量產(chǎn)3nm工藝的消息，屆時三星將會成為全球第一個量產(chǎn)3nm工藝的半導(dǎo)體廠商，臺積電的3nm計劃是2022年下半年量產(chǎn)。

　　5月底，美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。

　　根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。