盡管臺積電過去幾年在7nm、5nm、4nm等先進工藝上占盡優(yōu)勢,但是三星一直在努力追趕,3nm節(jié)點將成為三星的一次關(guān)鍵,韓國媒體稱三星將在下周宣布3nm工藝量產(chǎn),進度將領(lǐng)先臺積電。
據(jù)韓聯(lián)社消息,接近三星的消息人士稱,三星計劃在6月最后一周宣布量產(chǎn)3nm工藝的消息,屆時三星將會成為全球第一個量產(chǎn)3nm工藝的半導體廠商,臺積電的3nm計劃是2022年下半年量產(chǎn)。
5月底,美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠,這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過具體是哪款芯片還不得而知。
根據(jù)三星的說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。
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