三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群

　　三星電子25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)的極紫外光刻(EUV)專用V1生產(chǎn)線舉行了適用新一代全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的3納米芯片產(chǎn)品出廠紀(jì)念活動。

　　韓產(chǎn)業(yè)通商資源部長官李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯以及員工和合作商有關(guān)人士共100多人出席活動。三星電子上月底宣布全球首款基于GAA技術(shù)的3納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品投入量產(chǎn)。3納米工藝是半導(dǎo)體制作工程中最為尖端的制程技術(shù)。與此前使用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的芯片相比，新產(chǎn)品采用芯片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術(shù)。

　　三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群(HPC)，并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統(tǒng)級芯片(SoC)等多種產(chǎn)品群。三星電子計劃繼華城廠區(qū)之后，在平澤廠區(qū)也投入量產(chǎn)GAA3納米芯片。