功耗降低30% 臺(tái)積電稱2nm工藝客戶熱情高漲

　　4月20日消息，臺(tái)積電今天上午舉行了Q1季度財(cái)報(bào)會(huì)，營(yíng)收5086.3億新臺(tái)幣，同比增3.6%，環(huán)比減18.7%，凈利潤(rùn)2069億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)2.1%，環(huán)比下降30%，超出市場(chǎng)預(yù)期，但這是4年來(lái)最小增幅。

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)Q2季度銷售額152億美元至160億美元;預(yù)計(jì)第二季毛利率在52-54%，預(yù)測(cè)全年資本支出320億美元至360億美元，相比外界的傳聞而言沒有削減投資。

　　在Q1季度中，先進(jìn)工藝貢獻(xiàn)了臺(tái)積電過半營(yíng)收，其中7nm營(yíng)收占比20%，5nm工藝出貨營(yíng)收占比31%，二者合計(jì)超過51%，遙遙領(lǐng)先其他工藝。

　　在更先進(jìn)的工藝中，臺(tái)積電稱3nm工藝今年下半年會(huì)放量，同時(shí)還有更低成本但密度有所減少的N3E工藝量產(chǎn)。

　　再往后還有2nm工藝，臺(tái)積電表示客戶對(duì)2nm工藝熱情高漲，將按計(jì)劃在2025年量產(chǎn)，但沒有提及具體的客戶信息，不出意外還是蘋果首發(fā)。

　　臺(tái)積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，首次使用GAA晶體管，相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23~30%。

　　不過2nm工藝的晶體管密度僅提升了10%，相比之前的工藝提升60-70%大為縮水，更沒有達(dá)到摩爾定律所需的100%密度提升。