SK海力士第五代10納米級DDR5 DRAM 全球首次開始數(shù)據(jù)中心兼容性驗證

　　5月31日消息，SK海力士宣布，已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級(1b)技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司(Intel®)開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序(The Intel Data CenterCertified memory program)”。此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強®可擴展平臺( Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認證流程。

　　SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度高達6.4Gbps(每秒6.4千兆比特)，公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。

　　另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

　　SK海力士強調(diào)：“通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。”

　　SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級(1a)DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾®第四代至強®可擴展處理器(4thGen Intel® Xeon® Scalable processors)，并在業(yè)界首次獲得認證，此次1bDDR5 DRAM產(chǎn)品驗證也會成功完成。”

　　金副社長又說到：“有預測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以1b工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的DRAM競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進的1b工藝擴大適用于LPDDR5T和HBM3E產(chǎn)品。”

　　另外，SK海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的1a DDR5DRAM適用于英特爾下一代至強®可擴展平臺的追加認證流程也正在同步進行中。