6月28日消息,瑞薩電子今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC,瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(DIMM)、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。
DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s,相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度,是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM(SODIMM)、非緩沖DIMM(UDIMM)、高性能游戲DIMM,以及客戶端平臺(tái)的焊接式存儲(chǔ)應(yīng)用相連接的產(chǎn)品。瑞薩的第3代DDR5 RCD專為寄存DIMM(RDIMM)而設(shè)計(jì)。
CKD在主機(jī)控制器和DRAM間緩沖時(shí)鐘信號(hào),這是DDR5 DIMM針對(duì)客戶端DIMM和焊接式存儲(chǔ)應(yīng)用在高達(dá)7200MT/s速度運(yùn)行時(shí)的新要求。全新時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD支持I2C和I3C邊帶訪問以實(shí)現(xiàn)異步控制,并提供內(nèi)部控制字訪問,以配置器件功能,適應(yīng)不同的SODIMM和UDIMM配置及焊接式存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用。
RCD驅(qū)動(dòng)器在主機(jī)控制器和DRAM模塊之間針對(duì)命令地址(CA)總線、芯片選擇和時(shí)鐘進(jìn)行緩沖,此外還創(chuàng)建了一個(gè)BCOM總線來控制LRDIMM數(shù)據(jù)緩沖。全新驅(qū)動(dòng)器增強(qiáng)了決策反饋均衡器(DFE)的支持;其將DFE 相位轉(zhuǎn)換器從4個(gè)增加至6個(gè),以提高接收器裕量,而I2C和I3C邊帶總線支持提供了直連寄存器的訪問控制。
采用CKD和RCD驅(qū)動(dòng)器的成功產(chǎn)品組合
瑞薩將RCD和CKD驅(qū)動(dòng)器與其它成功產(chǎn)品組合中的兼容產(chǎn)品相結(jié)合,包括DDR5電源管理IC(PMIC)和CKD串行存在檢測(cè)(SPD)集線器。RCD還可以與瑞薩的溫度傳感器、SPD集線器、PMIC和數(shù)據(jù)緩沖器搭配。瑞薩“成功產(chǎn)品組合”依托于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品,同時(shí)采用經(jīng)過技術(shù)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu),提供優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì),加快產(chǎn)品上市;趶V泛的產(chǎn)品陣容,瑞薩現(xiàn)已推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”,旨在幫助用戶加速設(shè)計(jì),加快上市。
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