建全自主半導體產(chǎn)業(yè)鏈幾乎不可能！ASML找強援：加速推進新一代光刻機

　　比利時微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布，雙方將在開發(fā)先進高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗線的下一階段加強合作。

　　按照ASML的說法，2025年開始，客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。

　　Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩(wěn)步增加，ASML傳統(tǒng)型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現(xiàn)在研究層面已做到600W，800W指日可待。

　　到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產(chǎn)量，并降低制程成本，需要更高數(shù)值孔徑的EUV曝光(NA=0.75)。

　　DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術(shù)形成圖案的每個晶體管成本都不斷變化，考量到新技術(shù)價格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價格將非常可觀，但仍取決于客戶要求和開發(fā)成本。

　　在這之前，光刻機大廠ASML高管對外表示，半導體業(yè)只有通力合作，建立完全自主的產(chǎn)業(yè)鏈，即使并非不可能也會極其困難。