比利時微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布,雙方將在開發(fā)先進高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗線的下一階段加強合作。
按照ASML的說法,2025年開始,客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化,切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化,降低制程成本,提高產(chǎn)量。
Fouquet表示,EUV光源輸出功率一直穩(wěn)步增加,ASML傳統(tǒng)型號EUV光源輸出功率為250W~300W,最新型號3600D增加到350W,現(xiàn)在研究層面已做到600W,800W指日可待。
到2030年,使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成,以提高產(chǎn)量,并降低制程成本,需要更高數(shù)值孔徑的EUV曝光(NA=0.75)。
DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術形成圖案的每個晶體管成本都不斷變化,考量到新技術價格一定高于EUV每套3億美元,High-NA EUV價格將非?捎^,但仍取決于客戶要求和開發(fā)成本。
在這之前,光刻機大廠ASML高管對外表示,半導體業(yè)只有通力合作,建立完全自主的產(chǎn)業(yè)鏈,即使并非不可能也會極其困難。
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