閃存芯片搶跑之年，NAND Flash產(chǎn)業(yè)進入新紀元

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　　中國NAND Flash行業(yè)綜述

　　NAND Flash是一種數(shù)據(jù)型Flash快閃存儲芯片，具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，被廣泛用于固態(tài)硬盤和便攜式設(shè)備中，垂直溝道3D結(jié)構(gòu)搭配MLC和TLC顆粒類型，是NAND Flash的主要產(chǎn)品類型。

　　NAND Flash結(jié)構(gòu)在1989年由東芝公司首次提出，自此正式開始萌芽期的發(fā)展;2000年起，NAND Flash向著細微化、高度集成化的高速發(fā)展;近年來， NAND Flash仍在持續(xù)探索更高層次的三維堆疊技術(shù)。

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　　中國NAND Flash行業(yè)現(xiàn)狀

　　NAND Flash憑借其超高性價比逐漸成為主流閃存芯片，預(yù)計2025年其市場規(guī)模將達到932億美元;2021年全球NAND Flash存儲容量達到了5,750億GB，預(yù)計2023年將達到7,320億GB。

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　　NAND Flash芯片單元狀態(tài)越密集，每個單元內(nèi)便可儲存更多信息，四種芯片尺寸隨單元層數(shù)的增多而減小，其中SLC讀寫速度最快、使用壽命最久，QLC單位密度更高、成本*。

　　全球NAND Flash廠商主要有三星電子、鎧俠、SK集團、西部數(shù)據(jù)、美光科技等，行業(yè)集中度較高，競爭格局較為穩(wěn)定;2022年二季度，全球NAND Flash原廠CR5市場份額約為95%，長江存儲約占4%。

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　　為加速行業(yè)恢復(fù)供需平衡，三星、美光、SK海力士等頭部存儲廠商相繼縮減資本支出并降低產(chǎn)能利用率;西部數(shù)據(jù)和鎧俠加速合并，目前存儲芯片廠商主動去庫存效果顯著，庫存拐點逐漸顯現(xiàn)。

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　　中國NAND Flash驅(qū)動因素與發(fā)展趨勢

　　2022年NAND Flash存儲芯片主要以應(yīng)用于智能手機市場的嵌入式存儲產(chǎn)品、應(yīng)用于計算機的消費級SSD，以及應(yīng)用于服務(wù)器市場的企業(yè)級SSD產(chǎn)品為主，企業(yè)級SSD市場需求逐步擴張。

　　2021年，中國智能汽車滲透率增至63.8%，智能汽車數(shù)量增至1,512萬臺;隨著更高階輔助駕駛技術(shù)的發(fā)展，汽車傳感器對數(shù)據(jù)收集與分析的需求推動NAND Flash等存儲參數(shù)需求不斷升級。

　　2018年至今，NAND Flash合約平均價持續(xù)震蕩，下游需求萎縮壓力導致部分存儲廠商紛紛開始以價換量清庫存，預(yù)計23年Q3 SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品有望止跌回升。

　　目前2D NAND正非常接近其縮放極限，難以再實現(xiàn)進一步擴展;3D NAND技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升。

　　2022年底，美光推出232層NAND Flash 產(chǎn)品;三星下一代 3D NAND 產(chǎn)品或?qū)�實現(xiàn)236層的堆疊;長江存儲128層NAND Flash良率良率快速爬坡至較高水平，3D NAND進入200層時代。