美國英特爾正在加緊開發(fā)尖端半導體「Intel 20A」。20A中的A意為「埃米(angstrom)」。埃米是表示1納米的10分之1的長度單位,20A指2納米。英特爾提出新的技術指標,在與臺積電(TSMC)和三星電子的競爭中試圖扭轉劣勢。
目前,衡量半導體尖端技術的指標一般使用納米。具體是指半導體電路的線寬,電路越細半導體的處理能力和數(shù)據(jù)存儲容量越高,還能夠抑制電力消耗,并有助于半導體晶片的小型化。半導體廠商一直在競相推進全是益處的「電路微細化」。
回顧大規(guī)模集成電路(LSI)的歷史,英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為起點。當時的線寬為10微米左右,換算成納米是1萬納米。從那時起,按照半導體晶片單位面積的性能在約2年內(nèi)翻一番的「摩爾定律」不斷實現(xiàn)微細化。
如果沒有這種半導體技術創(chuàng)新,智慧手機等IT產(chǎn)品就不會誕生。如今,汽車、白色家電、機器人、工業(yè)機械等所有工業(yè)產(chǎn)品的進化均由半導體拉動。
目前最尖端的是臺積電和三星將量產(chǎn)的3納米半導體。與之相對,英特爾的最新技術是7納米。2010年代后半期,英特爾在生產(chǎn)技術的開發(fā)上落后,被甩在后面。
這樣的英特爾能否一躍實現(xiàn)20A、也就是2納米技術?答案是否定的。不容忽視的一點是,英特爾并沒有明確表示「20A」指電路線寬。
實際上,5納米、3納米等指標從約5年前開始與電路線寬的實際尺寸出現(xiàn)背離。目前還沒有關于應測量半導體電路的哪個位置的國際標準,臺積電和三星正在量產(chǎn)的3納米也只是「企業(yè)方面的說辭」(半導體設計公司高管)。
英特爾宣告「埃米時代的到來」,但沒有明確說明是長度單位。這只是一個營銷口號,目的是彰顯先進形象。
那么,現(xiàn)在的線寬指的是什么呢?通常是把單位面積的半導體元件數(shù)與過去的自身產(chǎn)品進行比較,根據(jù)元件增加了多少來計算。
雖然因為簡單易懂而經(jīng)常被使用,但不能單純地用這個數(shù)值來進行性能比較。還需要關注實際的數(shù)據(jù)處理能力、數(shù)據(jù)存儲容量、省電性能、訂單量等。
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