三星正在研發(fā)一種名為 LLW DRAM 的新型內(nèi)存,具有低延遲、高帶寬和低功耗特性。該內(nèi)存特別適用于運(yùn)行大型語(yǔ)言模型的設(shè)備,但其性能優(yōu)勢(shì)也適用于各種客戶端工作負(fù)載。
LLW DRAM 采用寬 I/O、低延遲特性,帶寬高達(dá) 128 GB/s,且功耗僅為 1.2pJ/bit。外界推測(cè),LLW DRAM 可能借鑒了 GDDR6W 的技術(shù),采用 Fan-Out 晶圓級(jí)封裝(FOWLP)將多個(gè) DRAM 器件集成到一個(gè)封裝中。
預(yù)計(jì)該技術(shù)可用于 AI 邊緣計(jì)算設(shè)備、智能手機(jī)、筆記本電腦和汽車領(lǐng)域。雖然三星未透露 LLW DRAM 的上市時(shí)間,但從其公開(kāi)的性能預(yù)期來(lái)看,研發(fā)進(jìn)程已接近尾聲。
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