長(zhǎng)江存儲(chǔ)突破QLC閃存壽命！做到4000次P/E

　　SLC、MLC、TLC、QLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，存儲(chǔ)密度越來(lái)越高，而壽命和可靠性不斷下滑，比如作為最關(guān)鍵的衡量指標(biāo)，P/E(編程/擦寫(xiě)循環(huán))次數(shù)就越來(lái)越少。

　　根據(jù)維基百科的資料顯示，SLC閃存的P/E可以達(dá)到5000-10000次之多，MLC一般在1000-10000次范圍，TLC目前最高就只能做到3000次，QLC的話一般不超過(guò)1000次。

　　不過(guò)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借獨(dú)特、優(yōu)秀的Xtacking晶棧架構(gòu)設(shè)計(jì)，走出了屬于自己的特色道路，閃存壽命可靠性大大提升。

　　比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代的QLC 3D NAND閃存，內(nèi)部代號(hào)“X3-6070”，就有著極為優(yōu)秀的素質(zhì)，可滿足企業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)、嵌入式全場(chǎng)景的應(yīng)用需求。

　　根據(jù)官方介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50%，同時(shí)讀取、寫(xiě)入速度都有著接近100%的提升。

　　更不可思議的是可靠性和壽命，它的P/E居然能做到驚人的4000次，是普通QLC閃存的4倍！

　　據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工作人員透露，他們的QLC閃存之所以能做到這一點(diǎn)，一方面來(lái)自獨(dú)特的Xtacking晶棧架構(gòu)，另一方面也是工藝和技術(shù)日漸成熟的結(jié)果。

　　當(dāng)然，不是所有的QLC都能達(dá)到這么高的水平，一要看具體品質(zhì)和良品率，而要看用在什么領(lǐng)域，比如企業(yè)級(jí)SSD上使用的肯定壽命更長(zhǎng)一些。

　　比如說(shuō)去年9月份發(fā)布的致態(tài)Ti600，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款采用QLC閃存的SSD產(chǎn)品，面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。

　　它的具體P/E次數(shù)沒(méi)有公開(kāi)。考慮到這類產(chǎn)品的寫(xiě)入放大一般在3-5倍，再加上固件算法設(shè)置等因素，倒推致態(tài)Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的兩倍左右，相當(dāng)可靠了。

　　同時(shí)，致態(tài)Ti600 1TB版本的最大寫(xiě)入量多達(dá)400TBW，按照五年保質(zhì)期計(jì)算，平均每天可以寫(xiě)入219GB，完全能夠滿足消費(fèi)級(jí)用戶的使用。

　　值得一提的是，在OEM領(lǐng)域，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的下一代PC41Q SSD也將引入QLC，可用于筆記本、臺(tái)式機(jī)、一體機(jī)等設(shè)備。

　　它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫(xiě)帶寬5.5GB/s，動(dòng)態(tài)功耗低于4W，PS4待機(jī)功耗低于2mW。

　　可靠性和數(shù)據(jù)保持能力方面也足以媲美TLC閃存，比如說(shuō)平均故障間隔時(shí)間達(dá)200萬(wàn)小時(shí)，可以在30℃環(huán)境下穩(wěn)定保存數(shù)據(jù)1年之久。

　　可以說(shuō)，QLC閃存已經(jīng)到了真正可以普及的新階段，尤其是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的QLC，完全可以讓普通消費(fèi)者乃至企業(yè)級(jí)客戶都放心長(zhǎng)期使用，無(wú)論性能還是壽命都無(wú)需任何顧慮。