轉折點上的存儲業(yè)：人工智能與熱點新品并進

　　研究機構TechInsights報告顯示，人工智能推動下存儲器產業(yè)強勁反彈，當前全球存儲芯片市場表現(xiàn)亮眼。三星電子、Sk海力士、美光科技發(fā)布的最新財報也印證了這一點，繼上財季扭虧為盈之后繼續(xù)上攻，新季度銷售額與營業(yè)利潤均實現(xiàn)大幅增長，全面鞏固了存儲業(yè)轉折上行的大趨勢。

　　存儲大廠財報業(yè)績大幅轉盈

　　全球存儲巨頭三星電子、美光科技近期發(fā)布最新一季的財報，業(yè)績全面向好;Sk海力士也預期表現(xiàn)良好。

　　三星電子在7月5日公布的第二季度初步業(yè)績中顯示，該公司銷售額為74萬億韓元，營業(yè)利潤10.4萬億韓元。與上一季度相比，分別增長2.9%和57.3%。外界普遍解讀，三星電子利潤大幅增長表明了存儲產業(yè)真正開始好轉。受人工智能熱潮影響，近來存儲芯片價格快速上漲。

　　SK海力士雖然尚未正式發(fā)布第二季度財報，但歸功于HBM需求的增長，業(yè)界預測SK海力士二季度有望超出此前的預估值。KB證券預計，SK海力士第二季度營業(yè)利潤將達5萬億韓元，創(chuàng)6年來最高。其中DRAM營業(yè)利潤為4.2萬億韓元，NAND營業(yè)利潤為8000億韓元。

　　美光科技在6月26日發(fā)布的2024財年第三季度財報中，營收68.11億美元，同比上升81.5%，好于市場預期;同期實現(xiàn)凈利潤3.32億美元，繼續(xù)保持盈利狀態(tài)。Non-GAAP會計準則下，美光經營利潤9.41億美元;凈利潤7.02億美元，環(huán)比增長47%。其中，DRAM收入約47億美元，環(huán)比增長13%，營收占比約69%。

　　除三巨頭之外，西部數(shù)據(jù)第一季度營收34.57億美元，同比增長23%。Non-GAAP下，凈利潤為2.10億美元，同樣實現(xiàn)扭虧為盈。鎧俠2023財年第四季度財報(截至2024年3月31日)顯示，營收3221億日元，環(huán)比增長60.1%，同比增長31%，實現(xiàn)營業(yè)利潤439億日元、凈利潤103億日元，二者環(huán)比皆扭虧為盈。

　　業(yè)界認為，各大存儲廠商的普遍好轉，顯示了存儲器市場供需平衡不斷改善，價格持續(xù)上調，在雙重因素疊加下，存儲行業(yè)已經完全擺脫了此前持續(xù)下行的行業(yè)走勢。

　　人工智能推動需求激增

　　人工智能需求的激增是存儲市場扭轉的主要原因之一，目前服務器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存價格都在提高。有報道顯示，三星電子第二季度已將供應給企業(yè)的NAND閃存儲價格調高至少20%。而根據(jù)DRAM Exchange資料，第一季度全球企業(yè)用NAND閃存的銷售額達到37.58億美元，比前一季度大增62.9%。隨著需求的增加，部分產品出現(xiàn)供不應求。

　　集邦咨詢調查顯示，由于通用型服務器需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季度DRAM均價將持續(xù)上揚，漲幅預計將為8%～13%。集邦咨詢分析認為，整體消費級DRAM市場繼續(xù)呈現(xiàn)供過于求的局面，但由于 HBM 產能擠壓，三大供應商明顯有意提高價格。預計傳統(tǒng)DRAM價格將上漲 5% 至 10%，與第二季度的漲幅相比略有收縮。

　　同時，人工智能熱潮也推動了對 NAND 閃存芯片的需求，尤其是企業(yè)對數(shù)據(jù)中心等IT基礎設施進行大規(guī)模投資。AI數(shù)據(jù)中心對服務器容量的要求比一般數(shù)據(jù)中心高出20倍，而AI領域的熱潮預計將帶動大容量SSD訂單。預估今年全球NAND Flash市場年增率將達74.1%，預計今年第三季度企業(yè)用大容量固態(tài)硬盤芯片將增長15%至20%。

　　HBM、QLC SSD、GDDR7：前景廣泛看好

　　HBM、QLC SSD、GDDR7等新品熱點被認為將在AI服務器中得到廣泛應用，相關產品前景被廣泛看好。

　　由于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM高出數(shù)倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，使得HBM出貨量在DRAM中的占比快速提升。集邦咨詢預計，2023年～2024年HBM占DRAM總產能分別為2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可超過20%，至2025年占比有機會超過30%。目前經過多輪技術迭代，HBM已進階到HBM3E。集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷表示，NVIDIA的Blackwell與AMD MI350/MI375采用HBM3E，特別集中12Hi產品，最高容量可達288GB，將有助于延續(xù)單一位元均價的持續(xù)上升，且于2025年成為市場主流。

　　與MLC NAND和TLC NAND相比，QLC NAND每個單元可以存儲更多數(shù)據(jù)，顯著提升存儲性能，這使得QLC SSD被業(yè)界認為其在人工智能領域將有更大作為。此前QLC NAND主要應用于PC OEM和消費級SSD領域，隨著AI大模型不斷普及，數(shù)據(jù)中心存儲需求不斷激增，QLC NAND尤其是QLC SSD在AI、大數(shù)據(jù)領域被看好。集微咨詢表示，QLC的主要優(yōu)勢在于高存儲容量之下的低成本。隨著AI數(shù)據(jù)的爆發(fā)，QLC SSD可以滿足速度和容量需求。雖然QLC NAND存在壽命短的問題，但是AI推理服務器主要以讀取為主，數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不像AI訓練型服務器那么頻繁，在很多應用場景下是適用的。事實上，目前通用型服務器采用的HDD產品主流容量在20TB～24TB，而QLC SSD容量已發(fā)展至64TB。大容量QLC SSD有望在AI推理服務器中得到進一步的應用。

　　GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內存容量，是GDDR家族的最新一代技術。帶寬可達192GB/s，內存速度為48Gbps，是GDDR6X的兩倍;獨立通道數(shù)量翻倍，從GDDR6中的2個增加到GDDR7中的4個;支持16 Gbit至32Gbit密度，包括支持2通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。在人工智能領域，GDDR7的應用潛力十足，可支持AI大模型進行快速數(shù)據(jù)處理與運算，為大模型訓練與推理提速。SK海力士、三星與美光均在爭奪GDDR7的主導權。美光在6月份時宣布已開始出樣新一代GDDR7，速度為32Gbps，顯存帶寬1.5TB/sec，相比較GDDR6提高了60%，具有業(yè)界最高的位元密度。