三星將采用4nm工藝量產(chǎn)HBM4芯片

　　三星電子計劃利用其尖端的4nm代工工藝量產(chǎn)下一代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM4，這是驅(qū)動人工智能(AI)設(shè)備的核心芯片，以對抗該領(lǐng)域的更大競爭對手SK海力士和臺積電。

　　業(yè)內(nèi)消息人士表示，三星將利用4nm代工工藝制造第六代HBM4的邏輯芯片。邏輯芯片位于芯片堆棧的底部，是控制DRAM的HBM芯片的核心組件。

　　存儲芯片制造商已經(jīng)為HBM3E等現(xiàn)有產(chǎn)品制造邏輯芯片，但第六代型號需要經(jīng)過代工工藝，因為它配備了客戶所需的定制功能。

　　4nm是三星標(biāo)志性的芯片代工工藝，良率超過70%。三星電子將該工藝用于Exynos 2400芯片，這是其旗艦AI智能手機(jī)Galaxy S24系列的驅(qū)動核心之一。

　　業(yè)內(nèi)人士表示：“4nm成本比7nm和8nm高得多，但在芯片性能和功耗方面卻明顯優(yōu)于它們。三星以10nm工藝制造HBM3E，并希望通過應(yīng)用4nm工藝在HBM領(lǐng)域占據(jù)王位。”

　　三星電子原本預(yù)計將使用7nm或8nm代工工藝生產(chǎn)HBM4邏輯芯片。據(jù)了解，三星自2019年起開始量產(chǎn)7nm工藝。

　　三星借助4nm工藝與SK海力士和臺積電展開競爭，這兩家公司聯(lián)手加強(qiáng)在快速增長的AI芯片市場的地位。

　　英偉達(dá)控制著AI計算任務(wù)核心圖形處理單元(GPU)80%以上的市場。三星決定利用其存儲業(yè)務(wù)和代工部門合作設(shè)計和制造代工和HBM芯片的能力，來應(yīng)對英偉達(dá)兩大供應(yīng)商的合作伙伴關(guān)系。

　　自2023年開始應(yīng)用的4nm工藝需要復(fù)雜的技術(shù)和比舊工藝多一倍的資源，但它可以制造高性能、低功耗的芯片。三星的目標(biāo)是開發(fā)配備高性能邏輯芯片的HBM4芯片，并擊敗競爭對手。

　　英偉達(dá)和AMD等客戶已要求供應(yīng)商開發(fā)能夠以低功耗快速處理大量數(shù)據(jù)的HBM芯片。這就是AI加速器，它是一種高性能并行計算機(jī)，專門設(shè)計用于高效處理耗電量很大的AI工作負(fù)載(如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò))。

　　三星預(yù)計4nm代工工藝將促進(jìn)此類HBM芯片的生產(chǎn)并在行業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位。該公司計劃從邏輯芯片的設(shè)計階段開始尋求優(yōu)化，以通過其無晶圓廠系統(tǒng)LSI部門最大限度地提高HBM4芯片的性能。

　　“與臺積電等不同，讓芯片設(shè)計師參與HBM4生產(chǎn)是我們的獨(dú)特優(yōu)勢。”三星一位高管表示。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星已將系統(tǒng)LSI部門的員工派往最近成立的HBM開發(fā)團(tuán)隊。

　　臺積電等已采取措施應(yīng)對三星計劃，將在原計劃12nm工藝之外，增加5nm工藝來制造HBM4邏輯芯片。兩家公司還增加了人才庫，以提高HBM4性能，比如聘請經(jīng)驗豐富的邏輯設(shè)計工程師。

　　【來源：集微網(wǎng)】