三星旗艦手機S25“棄用”自家內(nèi)存芯片：內(nèi)斗傳聞進一步坐實

　　2025年2月，三星電子宣布其最新旗艦機型Galaxy S25系列將搭載美光(Micron)的LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲芯片，而非傳統(tǒng)的三星自研產(chǎn)品，這一決策打破了三星旗艦機型長期采用全套自家組件的慣例，引發(fā)業(yè)界對技術(shù)路線、供應(yīng)鏈管理及市場競爭格局的廣泛討論。

　　三星自研的LPDDR5X DRAM雖然在速率(10.7 Gbps)和能效(25%提升)上優(yōu)于美光(9.6 Gbps)，但其制程工藝遭遇良品率問題，無法滿足旗艦機型對穩(wěn)定性的要求，相比之下，美光的產(chǎn)品雖性能稍遜，但成熟度高且已通過多款旗艦機型驗證，成為更穩(wěn)妥的選擇。

　　有消息稱，三星半導(dǎo)體部門與移動部門長期存在資源爭奪。半導(dǎo)體部門因代工業(yè)務(wù)虧損，試圖通過向手機部門高價銷售內(nèi)存芯片“回血”，但遭到后者的強烈抵制，最終，手機部門以“用戶體驗優(yōu)先”為由，選擇與美光合作以降低成本并確保性能穩(wěn)定。

　　盡管三星從未對內(nèi)斗一事做出過解釋，但從這一事件來看，無疑坐實了這一傳聞的真實性。

　　三星手機與自家芯片廠的博弈暴露了單一供應(yīng)鏈的風(fēng)險。對于中國半導(dǎo)體企業(yè)而言，多有“照鏡子”的啟發(fā)意義，同時也告訴我們，只要加快自主研發(fā)，未來也許真有機會進入到以往不可想象的供應(yīng)鏈中去，目前長江存儲、長鑫存儲已在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，如232層NAND、16nm DDR5，一旦貿(mào)易壁壘被打破，逐步替代美光、三星等國際廠商的份額也并非不可能。

　　事實上，三星與美光的供應(yīng)鏈調(diào)整，已經(jīng)為中國存儲企業(yè)創(chuàng)造出了窗口期。美光在中國大陸的封測廠受管制影響較小，但其晶圓供應(yīng)仍依賴國際物流，國產(chǎn)廠商可通過本土化服務(wù)搶占中低端市場。

　　從更宏觀的角度來看，盡管三星手機棄用自家內(nèi)存有內(nèi)斗嫌疑，但本質(zhì)上還是是技術(shù)迭代、供應(yīng)鏈博弈與市場策略共同作用的結(jié)果——假如三星半導(dǎo)體的產(chǎn)品實現(xiàn)了高良率，恐怕他們的內(nèi)斗也就缺乏了充分條件。

　　電科技認為，對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，這既是警示，更是機遇，通過技術(shù)突破、生態(tài)協(xié)同與市場拓展，逐步打破國際壟斷，實現(xiàn)從跟跑到領(lǐng)跑的跨越。未來，隨著AI、5G等技術(shù)的深化，中國存儲企業(yè)有望在全球競爭中占據(jù)更重要的位置。