美光科技推出基于1γ節(jié)點的DDR5內(nèi)存樣品 性能與能效全面提升

　　美光科技近日宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于1γ節(jié)點的第六代(10nm級)DRAM節(jié)點DDR5內(nèi)存樣品。

　　據(jù)悉，這款16Gb DDR5內(nèi)存的速度可達(dá)9200MT/s，較上一代提升15%，能夠滿足數(shù)據(jù)中心及端側(cè)AI設(shè)備對高性能計算的迫切需求。

　　在技術(shù)層面，美光的1γ節(jié)點采用了新一代高K金屬柵極CMOS技術(shù)，結(jié)合設(shè)計優(yōu)化，功耗降低超20%，并顯著改善了熱管理性能。

　　此外，通過極紫外光刻(EUV)與工藝創(chuàng)新，新一代內(nèi)存的比特密度提升超30%，進(jìn)一步提升了內(nèi)存供應(yīng)效率。

　　此次推出的DDR5內(nèi)存樣品不僅在性能上實現(xiàn)了突破，還在能效和密度方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，為未來高性能計算和AI應(yīng)用提供了有力支持。