三星內(nèi)存技術(shù)突然落后！決定中斷12nm DRAM芯片開發(fā)：直上11nm

　　三星不僅是世界第一大DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商，技術(shù)水平也是最先進。

　　據(jù)BusinessKorea，三星要求研發(fā)人員停止1b工藝DRAM芯片的開發(fā)，也就是跳過12nm，直接跨代到1c，即11nm。

　　三星設(shè)定了非常激進的目標(biāo)，即在今年6月完成并凍結(jié)11nm、第六代DRAM芯片的開發(fā)工作。

　　此前的說法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困難，搞不定。不過就最新的報道來看，似乎并非如此，當(dāng)然，最終實情如何，還得拿實物量產(chǎn)說話。

　　報道指出，三星此舉目的在于重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術(shù)差距，其原因在于1a DRAM芯片量產(chǎn)上，三星實際上落后于競爭對手。

　　事實上，這并非三星第一次在DRAM芯片上計劃“彎道超車”，當(dāng)年對手都在搞28nm DRAM時，三星聚焦更先進的25nm工藝，結(jié)果高風(fēng)險最終促成高收益。