臺積電的最新技術(shù)布局

　　據(jù)臺積電在最新年報中披露，2021年，臺積公司為535個客戶生產(chǎn)1萬2,302種不同的產(chǎn)品。其應(yīng)用范圍涵括整個電子應(yīng)用產(chǎn)業(yè)，包括于個人計算機與其周邊產(chǎn)品、信息應(yīng)用產(chǎn)品、有線與無線通訊系統(tǒng)產(chǎn)品、高效能運算服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心、汽車與工業(yè)用設(shè)備，以及包括數(shù)位電視、游戲機、數(shù)字相機等消費性電子、人工智能物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式設(shè)備，與其他許多產(chǎn)品與應(yīng)用。

　　能夠獲得這樣的成就，與公司持之以恒的技術(shù)投入有重要的關(guān)系。按照臺積電所說，公司去年全年研發(fā)總支出占營收之7.9%，此一研發(fā)投資規(guī)模相當(dāng)于或超越了許多其他高科技領(lǐng)導(dǎo)公司的規(guī)模。這也幫助公司在多個領(lǐng)域進(jìn)行了布局。從財報可以看到，除了發(fā)展互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)邏輯技術(shù)，臺積公司廣泛的對其他半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，以提供客戶行動系統(tǒng)單芯片(SoC)及其他應(yīng)用所需的功能。

　　具體而言，臺積電在2021年完成的技術(shù)包括以下這些：

　　1、通過第五代(Gen-5)CoWoS的驗證，硅中介層面積高達(dá)2,500平方毫米，可容納至少二個系統(tǒng)單晶邏輯芯片和八個高頻寬存儲器(HBM)小芯片堆棧;

　　2、成功驗證第七代整合型扇出層疊封裝技術(shù)(InFO-PoP)， 可支援具備增強散熱性的行動應(yīng)用;

　　3、開始生產(chǎn)第三代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)(InFO-oS Gen-3)，提供更多的芯片分割及整合，擁有更大的封裝尺寸和更高的頻寬;

　　4、擴大90納米、55納米、40納米以及22納米技術(shù)的十二吋BCD技術(shù)組合，支援不同整合度的各種快速成長的行動電源管理芯片應(yīng)用;

　　5、維持28納米嵌入式快閃存儲器的穩(wěn)定高良率且達(dá)成技術(shù)驗證，支援消費電子級與第一級車用電子技術(shù)應(yīng)用;

　　6、40納米電阻式隨機存取存儲器(RRAM)進(jìn)入量產(chǎn)，28納米和22納米準(zhǔn)備量產(chǎn)，以作為價格敏感的物聯(lián)網(wǎng)市場的低成本解決方案;

　　7、增加22納米磁性隨機存取存儲器(MRAM)生產(chǎn)率，于2021年完成技術(shù)驗證，以支援下一世代嵌入式存儲器MCU、車用電子元件、物聯(lián)網(wǎng)，以及人工智能應(yīng)用;

　　8、在四相偵測(Quad Phase Detection, QPD)CMOS傳感器結(jié)構(gòu)達(dá)成13%的畫素尺寸微縮，支援行動影像市場。

　　而截止2021年，臺積電已經(jīng)開發(fā)或已提供的制程技術(shù)包括：

　　邏輯制程技術(shù)

　　3納米鰭式場效晶體管制程(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)(N3)技術(shù)開發(fā)依照計劃進(jìn)行并有很好的進(jìn)展，并預(yù)計于2022下半年開始量產(chǎn)。

　　N3增強型(N3E)技術(shù)系N3技術(shù)的強化版，技術(shù)開發(fā)依照計劃進(jìn)行并有很好的進(jìn)展。N3E技術(shù)將持續(xù)針對行動通訊與高效能運算應(yīng)用提供領(lǐng)先業(yè)界的優(yōu)勢，量產(chǎn)時間預(yù)計在N3量產(chǎn)后一年進(jìn)行。

　　4納米FinFET(N4)技術(shù)為5納米FinFET(N5)技術(shù)的強化版，已于2021年為客戶產(chǎn)品試產(chǎn)，并預(yù)計于2022年量產(chǎn)。

　　4納米FinFET強效版(4nm FinFET Plus, N4P)技術(shù)開發(fā)依照計劃進(jìn)行并有很好的進(jìn)展，并預(yù)計于2022年試產(chǎn)。

　　N4X制程技術(shù)于2021年推出。此一技術(shù)系臺積公司針對高效能運算產(chǎn)品所量身打造，在臺積公司5納米系列制程技術(shù)中，展現(xiàn)極致效能與最高運作時脈，預(yù)計于2023年上半年試產(chǎn)。

　　5納米FinFET強效版(N5P)技術(shù)為N5技術(shù)的效能強化版技術(shù)，已于2021年量產(chǎn)。

　　6納米FinFET(N6)技術(shù)于2020年量產(chǎn)，并于2021年廣泛應(yīng)用于手機、高效能運算，以及消費性電子產(chǎn)品。

　　7納米FinFET(N7)及7納米FinFET強效版(N7+)技術(shù)已為客戶量產(chǎn)5G及高效能運算產(chǎn)品多年，并于2021年開始為客戶量產(chǎn)消費性電子與車用產(chǎn)品。

　　12納米FinFET精簡型強效版(12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+)技術(shù)于2021年第一季量產(chǎn)。

　　奠基于12FFC+的技術(shù)及硅智財生態(tài)系統(tǒng)的N12eTM技術(shù)，于2021年推出新的極低漏電的極高閥值元件(Extreme High Threshold Voltage, eHVT)。

　　22納米超低漏電(Ultra-Low Leakage, ULL)(22ULL)技術(shù)于2021年推出新的強化版低漏電及具有成本效益的元件，進(jìn)一步強化22ULL技術(shù)平臺，以支援客戶更廣泛的產(chǎn)品應(yīng)用。

　　特殊制程技術(shù)

　　5納米車用基礎(chǔ)硅智財(Foundation IP)開發(fā)依照計劃進(jìn)行并有很好的進(jìn)展，并預(yù)計于2022年通過AEC-Q100 Grade-2驗證。

　　N6射頻(Radio Frequency, RF)(N6 RF)技術(shù)于2021年開發(fā)完成，客戶產(chǎn)品投片預(yù)計于2022年開始。

　　16納米FinFET精簡型(16nm FinFET Compact, 16FFC)射頻技術(shù)于2021接獲多個客戶產(chǎn)品的投片。

　　22ULL RF技術(shù)于2021年開始量產(chǎn)，涵蓋消費性電子與車用產(chǎn)品等應(yīng)用。

　　22ULL嵌入式RRAM技術(shù)是臺積公司第二代RRAM解決方案，具備成本和可靠性的平衡。2021年已有多個客戶采用此一技術(shù)完成產(chǎn)品驗證并準(zhǔn)備生產(chǎn)。

　　22ULL嵌入式MRAM技術(shù)硅智財于2021年完成超過100萬次的循環(huán)操作耐久性和回流焊接能力的驗證。此一技術(shù)展現(xiàn)了汽車AEC-Q100 Grade-1能力，并已為客戶量產(chǎn)穿戴式產(chǎn)品多年。

　　28納米ULL嵌入式快閃存儲器制程(eFlash)已通過AEC-Q100 Grade-1可靠性認(rèn)證技術(shù)，于2021年完成安全產(chǎn)品驗證，并將為客戶量產(chǎn)。

　　十二吋晶圓40納米絕緣層上覆硅(Silicon On Insulator, SOI)(N40SOI)技術(shù)提供領(lǐng)先業(yè)界的競爭優(yōu)勢，于2021年接獲多家客戶產(chǎn)品投片，并預(yù)計2022年開始量產(chǎn)。

　　十二吋90納米雙載子-互補式金氧半導(dǎo)體-擴散金屬氧化半導(dǎo)體強效版(Bipolar-CMOS-DMOS Plus, BCD Plus)技術(shù)于2021年通過驗證。臺積公司也于同年協(xié)助客戶完成新的設(shè)計定案，并采用此一技術(shù)開始量產(chǎn)。

　　第一代硅基板氮化鎵(Gallium Nitride on Silicon)技術(shù)平臺于2021年完成進(jìn)一步強化，以支援客戶多元的市場應(yīng)用。第二代硅基板氮化鎵技術(shù)平臺開發(fā)中，并預(yù)計于2022年完成開發(fā)。

　　持續(xù)精進(jìn)互補式金氧半導(dǎo)體影像傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)技術(shù)，因應(yīng)智慧手機對先進(jìn)影像傳感器的強勁需求。2021年，臺積公司協(xié)助客戶將世界最小畫素的產(chǎn)品導(dǎo)入市場。

　　臺積公司成功于2021年采用壓電(Piezoelectric)微機電(Micro Electro-mechanical Systems, MEMS) (Piezoelectric MEMS)技術(shù)協(xié)助客戶推出首款微機電單芯片揚聲器。

　　具體而言，臺積電的特殊技術(shù)和應(yīng)用覆蓋如下所示：

　　(1)混合訊號/射頻

　　隨著第五代行動通訊技術(shù)(5G)毫米波時代的到來，臺積公司已經(jīng)提供了許多利用射頻設(shè)計-技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO)具有競爭力的技術(shù)解決方案。2021年，臺積公司持續(xù)提供6納米射頻技術(shù)支援5G收發(fā)器設(shè)計，也提供40納米特殊制程支援在6GHz以下設(shè)計的5G射頻前端模塊(FEM)，以及提供28納米高效能精簡型強效版(HPC+)制程支援5G毫米波FEM設(shè)計。

　　(2)電源IC/雙極-互補金屬氧化半導(dǎo)體-雙重擴散金屬氧化半導(dǎo)體(BCD)

　　2021年，臺積公司擴大其十二吋BCD技術(shù)的制程組合，涵蓋90納米、55納米、40納米以及22納米，以因應(yīng)快速成長的行動電源管理芯片應(yīng)用，例如專用的5伏電源開關(guān)，以因應(yīng)鋰電池驅(qū)動的功耗成長需求。90納米BCD技術(shù)順利進(jìn)入量產(chǎn)，支援5伏到35伏的廣泛應(yīng)用，40納米BCD 20/24伏技術(shù)也開始量產(chǎn)，具備超低功耗基準(zhǔn)與整合式可變電阻存儲器模塊。公司將持續(xù)開發(fā)28伏及5-16伏高壓元件以涵蓋更多的電源管理芯片應(yīng)用。

　　(3)微機電系統(tǒng)

　　2021年，臺積公司完成壓電微機電技術(shù)的驗證，以生產(chǎn)具備高音質(zhì)及快速響應(yīng)的微機電揚聲器。未來計劃包含開發(fā)下一世代高敏感度壓電麥克風(fēng)、十二吋晶圓微機電光學(xué)影像穩(wěn)定(Optical Image Stabilization, OIS)系統(tǒng)、醫(yī)療用單芯片超音波傳感器，以及車用微機電應(yīng)用。

　　(4)氮化鎵半導(dǎo)體

　　2021年，臺積公司第一代650伏氮化鎵增強型高電子移動率晶體管(E-HEMT)完成驗證，進(jìn)入全產(chǎn)能量產(chǎn)，市場已推出超過130款充電器。公司持續(xù)擴充產(chǎn)能以滿足客戶的需求。第二代650伏和100伏E-HEMT之質(zhì)量因素(FOM)皆較第一代提升50%，預(yù)計于2022年投入生產(chǎn)。100伏空乏型氮化鎵高電子移動率晶體管(D-HEMT)已完成元件開發(fā)，預(yù)計于2022投入生產(chǎn)。此外，臺積公司也開始開發(fā)第三代650伏增強型高電子移動率晶體管，預(yù)計于2025年推出。

　　(5)互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器

　　2021年，臺積公司在互補式金屬氧化物半導(dǎo)體影像傳感器技術(shù)獲得數(shù)項技術(shù)進(jìn)展，包括：

　　(a)在嶄新的四相偵測(Quad Phase Detection, QPD)傳感器結(jié)構(gòu)上畫素尺寸微縮13%，可支援行動影像感測市場;

　　(b)電容在雙重轉(zhuǎn)換增益(Dual Conversion Gain)與橫向溢出集合電容(Lateral Overflow Integrating Capacitor)影像傳感器上實現(xiàn)畫素內(nèi)嵌式三維高密度金屬-介電質(zhì)-金屬(MiM)，支援高動態(tài)范圍機械視覺與安全相機的應(yīng)用;

　　(c)量產(chǎn)新世代車用影像傳感器，具有比前幾代產(chǎn)品高25dB的動態(tài)范圍與低三倍的暗態(tài)電流，與可應(yīng)用于自動駕駛輔助系統(tǒng)之能力。

　　(6)嵌入式快閃存儲器/新興存儲器

　　2921年，臺積公司在嵌入式非揮發(fā)性存儲器(Non-volatile Memory, NVM)技術(shù)領(lǐng)域達(dá)成數(shù)項重要的里程碑。在28納米制程方面，支援高效能行動運算與高效能低漏電制程平臺的嵌入式快閃存儲器開發(fā)維持穩(wěn)定的高良率，并已通過消費性電子級與第一級車用電子技術(shù)驗證，預(yù)計于2023年完成最高規(guī)格第零級車用電子技術(shù)與產(chǎn)品驗證。臺積公司亦提供電阻式隨機存取存儲器技術(shù)，作為低成本嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，支援對價格敏感的物聯(lián)網(wǎng)市場。40納米進(jìn)入量產(chǎn)，而28納米和22納米已準(zhǔn)備量產(chǎn)。

　　臺積公司也在嵌入式磁性隨機存取存儲器完成數(shù)項重要成就。已量產(chǎn)的22納米MRAM，透過簡化整合制程已成功提高產(chǎn)能，于2021年完成技術(shù)驗證。支援車用電子應(yīng)用的16納米制程亦維持穩(wěn)定的高良率，預(yù)計于2023年完成技術(shù)驗證。同時，臺積公司完成了多功能磁性隨機存取存儲器之可行性評估，以因應(yīng)客戶在微控制器(MCU)、人工智能，以及虛擬實境(VR)應(yīng)用上高速及低功耗之要求。

　　3DFabricTM ：臺積公司先進(jìn)封裝技術(shù)

　　TSMC-SoICTM(系統(tǒng)整合芯片)三維硅堆棧制程技術(shù)中的芯片對晶圓(Chip on Wafer, CoW)技術(shù)，成功于2021年在客戶產(chǎn)品的靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)與邏輯芯片的異質(zhì)整合(Heterogeneous integration)上，展現(xiàn)出優(yōu)異的電性表現(xiàn)。

　　CoWoS®-S(Chip on wafer on substrate with silicon interposer)技術(shù)于2021年新增了嵌入式深溝槽電容的選擇以及擴大硅基板至三倍光罩尺寸，并且完成驗證，協(xié)助客戶在高效能運算產(chǎn)品運用上，能夠整合更多的邏輯與高頻寬存儲器(High Bandwidth Memory)。

　　CoWoS®-R(Chip on wafer on substrate with redistribution layer interposer)技術(shù)于2021年完成技術(shù)驗證。

　　用于N 4晶圓覆晶封裝的細(xì)小間距陣列銅凸塊(C u bump)技術(shù)于2021年成功進(jìn)入試產(chǎn)。2021年，臺積公司致力于維系與許多世界級研究機構(gòu)的強力合作關(guān)系，包括美國的SRC及比利時的IMEC。公司亦持續(xù)擴大與全球頂尖大學(xué)的研究合作，達(dá)到半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步和培育未來人才的二大目標(biāo)。

　　2021年的研究成果

　　在財報上，臺積電還分享了公司在2021年的研究成果。首先看工藝制造方面：

　　(1)3納米制程技術(shù)

　　2021年，臺積公司建立平臺支援N3技術(shù)，支援高效能運算及系統(tǒng)單芯片應(yīng)用，也開始試產(chǎn)，預(yù)計于2022年下半年開始量產(chǎn)。臺積公司也開始開發(fā)N3E技術(shù)，改善了生產(chǎn)制程容許范圍，具備更佳的效能與功耗，預(yù)計于N3制程量產(chǎn)一年之后量產(chǎn)。

　　(2)2納米制程技術(shù)

　　2021年，臺積公司進(jìn)入2納米制程技術(shù)的開發(fā)階段，著重于測試載具之設(shè)計與實作、光罩制作，以及硅試產(chǎn)。主要進(jìn)展在于提升基礎(chǔ)制程設(shè)定、晶體管與導(dǎo)線效能。

　　(3)微影技術(shù)

　　2021年，臺積公司的研發(fā)組織藉由提升晶圓良率達(dá)到可靠影像以支援3納米試產(chǎn)，公司也提升極紫外光(EUV)的應(yīng)用、降低材料缺陷與增進(jìn)平坦化的能力以支援2納米技術(shù)的開發(fā)。此外，臺積公司研發(fā)單位致力于減少EUV曝光機光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本。

　　臺積公司的EUV項目在功率輸出及穩(wěn)定性上有持續(xù)性的突破，進(jìn)一步提升生產(chǎn)力，在EUV微影制程控制、光阻材料光罩保護(hù)膜，以及光罩生產(chǎn)質(zhì)量皆有進(jìn)一步進(jìn)展，進(jìn)而提升良率，以達(dá)到大量生產(chǎn)所需的要求。未來，公司將持續(xù)研究下一世代產(chǎn)品的生產(chǎn)與節(jié)能契機，以支援EUV項目達(dá)成2050年凈零排放的長期目標(biāo)。

　　(4)光罩技術(shù)

　　2021年，研發(fā)組織聚焦于提升極紫外光光罩在線寬控制和光罩層疊精準(zhǔn)度的表現(xiàn)以符合3納米微影制程的要求。藉由2納米光罩材料與光罩制程的基礎(chǔ)開發(fā)，臺積公司持續(xù)精進(jìn)極紫外光光罩技術(shù)。

　　來到導(dǎo)線與封裝技術(shù)整合方面，臺積公司將晶圓級芯片到芯片制程之細(xì)間距連接技術(shù)命名為3DFabricTM，其中包括在互連之前嵌入芯片的整合型扇出(InFO)、將芯片嵌入預(yù)制的線路重布層(RDL)上的CoWoS®，以及芯片與芯片直接堆棧的SoIC。

　　臺積公司提供通用晶圓級系統(tǒng)整合(WLSI)技術(shù)系列，包括SoIC、晶圓上系統(tǒng)(SoW)和整合基板系統(tǒng)(SoIS)，以滿足未來運算系統(tǒng)整合微縮的需求。在2021年，公司也取得了下述進(jìn)展。

　　1.三維集成電路(3DIC)與系統(tǒng)整合芯片(TSMC-SoICTM)

　　系統(tǒng)整合芯片(TSMC-SoICTM)是創(chuàng)新的晶圓級前段三維集成電路(3DIC)芯片堆棧平臺，具有卓越的接合密度、互連頻寬、功耗效率和薄形輪廓，可透過系統(tǒng)級微縮來延續(xù)摩爾定律，具有持續(xù)性的效能提升和相對應(yīng)的成本優(yōu)勢。系統(tǒng)整合芯片接下來可以使用傳統(tǒng)封裝或臺積公司嶄新的3DFabricTM技術(shù)，例如CoWoS®或整合型扇出來做封裝，以支援下一世代高效能運算(HPC)、人工智能(AI)和行動應(yīng)用產(chǎn)品。

　　目前臺積公司的SoIC制程預(yù)計于2022年下半年完成初步驗證。臺積公司將繼續(xù)追求系統(tǒng)整合芯片技術(shù)的微縮，以便與臺積公司先進(jìn)的硅技術(shù)保持一致，進(jìn)一步提高晶體管密度、系統(tǒng)PPA(功耗、性能及面積)，以及成本的優(yōu)勢。

　　2.后芯片(Chip-Last)CoWoS®

　　含有硅中介層的CoWoS®是針對高端高效能運算與人工智能產(chǎn)品應(yīng)用的2.5D領(lǐng)先技術(shù)。此技術(shù)之硅中介層具有次微米級的繞線層和整合電容(integrated Capacitors, iCap)，因此可以在上面放置系統(tǒng)單芯片(SoC)和高頻寬存儲器(HBM)等各種小芯片。第五代CoWoS®的硅中介層面積高達(dá)2,500平方毫米，可容納至少二個SoC邏輯芯片和八個HBM堆棧，已于2021年通過驗證。2022年，臺積公司的主要重點在于完成驗證CoWoS®技術(shù)上嶄新的第三代HBM。

　　3.先芯片(Chip-First)整合型扇出(InFO)

　　2021年，臺積公司持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界大量生產(chǎn)第六代整合型扇出層疊封裝技術(shù)(InFO-PoP Gen-6)以支援行動應(yīng)用，并生產(chǎn)第三代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)(InFO-oS Gen-3)支援HPC晶粒分割的應(yīng)用。第七代InFO-PoP也已成功通過驗證支援行動應(yīng)用和增強散熱性能。第四代InFO-oS如期完成開發(fā)，可提供更多的芯片分割，整合更大的封裝尺寸和更高的頻寬。

　　4.先進(jìn)導(dǎo)線技術(shù)

　　藉由實現(xiàn)領(lǐng)先技術(shù)，臺積公司先進(jìn)的導(dǎo)線技術(shù)持續(xù)協(xié)助客戶強化競爭力2021年，嶄新材料的開發(fā)達(dá)成了導(dǎo)線電阻與電容的降低，以提升芯片效能。此外，導(dǎo)入創(chuàng)新的導(dǎo)線訊號布線與功耗設(shè)計，可提升芯片效能，并同時降低成本。

　　正在研究的先進(jìn)技術(shù)

　　元件及材料的創(chuàng)新持續(xù)提升先進(jìn)邏輯技術(shù)的效能并降低功耗。2021年，臺積公司與二所一流大學(xué)合作，成功展示一個在半金屬鉍(Bi)和半導(dǎo)體的單原子層二維過渡金屬二硫族化合物間的創(chuàng)紀(jì)錄低接觸電阻，實現(xiàn)了單原子層二硫化鉬二維晶體管的最高導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。

　　2021年五月，此項突破發(fā)表于全球最重要科學(xué)期刊之一的《自然》(Nature)。在2021年舉行的國際電子元件會議(International Electron Device Meeting, IEDM)，臺積公司展示了另一項接觸技術(shù)，進(jìn)一步提升熱穩(wěn)定性和相對的低接觸電阻，該成果亦獲得正面的媒體報導(dǎo)。

　　臺積公司持續(xù)研究新興的高密度、非揮發(fā)性存儲器元件和硬件加速器以支援人工智能和高效能運算應(yīng)用。臺積公司與美國重點大學(xué)密切合作，在國際固態(tài)電路會議(International Solid-State Circuits Conference, ISSCC)和超大型集成電路技術(shù)與電路研討會(Symposiaon VLSI Technology and Circuits, Symp. VLSI)等高規(guī)格會議上發(fā)表了數(shù)篇關(guān)于使用電阻式存儲器(RRAM)進(jìn)行存儲器內(nèi)運算的論文。存儲器選擇器是實現(xiàn)高密度非揮發(fā)性存儲器的關(guān)鍵元件。

　　在2021年的超大型集成電路技術(shù)與電路研討會，臺積公司展示了一種高效能無砷的鍺碳碲閾值型選擇器，具有超過1011次循環(huán)的創(chuàng)紀(jì)錄高耐久性，以及約1.3伏的低閾值電壓和約5納安培的低漏電流。

　　在2021年的國際電子元件會議，臺積公司進(jìn)一步推出了一種氮摻雜的鍺碳碲選擇器，能夠與后段制程兼容并且具有超低的循環(huán)到循環(huán)間的閾值電壓變動。臺積公司也在2021年的超大型集成電路技術(shù)與電路研討會上展示了數(shù)種新技術(shù)來達(dá)成多階存儲器單元(MLC)數(shù)據(jù)存儲，支援神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，包括多階存儲器單元的相變化存儲器(PCM)，其保留時間提高了10萬倍，同時將推論的準(zhǔn)確度下降保持在3%以內(nèi)。

　　圖片說明：以上計劃之研發(fā)經(jīng)費約占2022年總研發(fā)預(yù)算之80%，而總研發(fā)預(yù)算預(yù)估約占2022全年營收的8%。

　　為保持公司的技術(shù)領(lǐng)先地位，臺積電表示，公司計劃持續(xù)大量投資研發(fā)。在臺積公司3納米及2納米先進(jìn)CMOS邏輯技術(shù)持續(xù)進(jìn)展時，臺積公司的前瞻研發(fā)工作將聚焦于2納米以

　　下的技術(shù)、三維晶體管、新存儲器，以及低電阻導(dǎo)線等領(lǐng)域，為未來技術(shù)平臺建立堅實的基礎(chǔ)。

　　臺積公司的3DIC先進(jìn)封裝研發(fā)，正在開發(fā)子系統(tǒng)整合的創(chuàng)新，以進(jìn)一步增強先進(jìn)的CMOS邏輯應(yīng)用。公司亦加強聚焦于特殊制程技術(shù)，例如射頻及三維智能傳感器，以支援5G及智能物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。

　　先進(jìn)技術(shù)研究部門持續(xù)專注于未來八至十年后可能采用的新材料、制程、元件和存儲器。臺積公司也持續(xù)與學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等外部研究機構(gòu)合作，旨在為客戶盡早了解和采用未來具有成本效益的技術(shù)和制造解決方案。

　　憑借著高度稱職及專注的研發(fā)團(tuán)隊及其對創(chuàng)新的堅定承諾，臺積公司有信心能夠透過提供客戶有競爭力的半導(dǎo)體技術(shù)，推動未來業(yè)務(wù)的成長和獲利。