更快頻率更大帶寬，Crucial英睿達(dá)DDR5 4800Mhz內(nèi)存開(kāi)箱

　　對(duì)于電腦玩家來(lái)說(shuō),今年英特爾發(fā)布的12代酷睿處理器可以算是本年度PC圈最重大的事件之一。單就IPC性能提升而言,12代酷睿并沒(méi)有給大家?guī)��?lái)太大的震撼,12代酷睿帶來(lái)的看點(diǎn)則是整個(gè)系統(tǒng)性能和總線(xiàn)的提升,比如支持DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)、雷電4接口、WiFi6e等等。

　　在12代酷睿發(fā)布之后,存儲(chǔ)廠(chǎng)商美光也上市了旗下品牌Crucial英睿達(dá)的DDR5臺(tái)式電腦內(nèi)存條,從DDR4到DDR5廠(chǎng)商走了十年,DDR5內(nèi)存終于在2021年站上舞臺(tái)。

　　型號(hào)和規(guī)格

　　首批上市的英睿達(dá)DDR5有以下幾個(gè)規(guī)格和型號(hào):

　　單條8G: Crucial 8GB DDR5-4800 UDIMM (編碼: CT8G48C40U5)

　　雙條16G: Crucial 16GB Kit (2 x 8GB) DDR5-4800 UDIMM (編碼: CT2K8G48C40U5)

　　單條16G: Crucial 16GB DDR5-4800 UDIMM (編碼: CT16G48C40U5)

　　雙條32G: Crucial 32GB Kit (2 x 16GB) DDR5-4800 UDIMM ( 編碼: CT2K16G48C40U5)

　　單條32G: Crucial 32GB DDR5-4800 UDIMM ( 編碼: CT32G48C40U5)

　　雙條64G: Crucial 64GB Kit (2 x 32GB) DDR5-4800 UDIMM ( 編碼: CT2K32G48C40U5)

　　價(jià)格

　　對(duì)于大部分用戶(hù)而言,可能大部分人會(huì)選擇16G*2 32GB的組合來(lái)搭配12代酷睿使用,所以我們開(kāi)箱也行選擇了CT16G48C40U5單條16GB*2的組合。

　　這套內(nèi)存在官網(wǎng)售價(jià)是273.99美元,折合人民幣1700元左右;看上去價(jià)格并不是很貴,參考DDR4 4000Mhz 16GB*2的內(nèi)存條目前在市場(chǎng)上主流的價(jià)位是兩千元左右一套。

　　但是由于DDR5內(nèi)存上所用的PMIC 電源管理芯片缺貨,導(dǎo)致市場(chǎng)上現(xiàn)在DDR5內(nèi)存上架量很少,導(dǎo)致目前DDR5內(nèi)存流通價(jià)格偏高,32GB的DDR5內(nèi)存飆升到兩千八至三千元價(jià)位,一定程度上造成了玩家裝機(jī)成本的上升。

　　DDR5相比上代內(nèi)存的主要差異在于采用全新的內(nèi)存模組架構(gòu),在容量、頻率、穩(wěn)定性、節(jié)能上均都有著巨大的提升。

　　頻率DDR4內(nèi)存從2133MHz起步,到現(xiàn)在高頻的主要是3600 MHz/4000 MHz,而DDR5起步頻率就達(dá)到了4800MHz。

　　DDR5 DRAM與DDR4 DRAM相比,顆粒大小基本一致,芯片針腳設(shè)計(jì)不同。DDR5 DRAM擁有更高的工作頻率,以及更高的存儲(chǔ)密度,單Die容量更大。

　　這款內(nèi)存條使用的是美光的DDR5 DRAM IC,顆粒編號(hào)為ISA45 D8BNJ。

　　在通道帶寬方面DDR5擁有2通道DIMM,單Die擁有8個(gè)Groups,每個(gè)Groups 4個(gè)bank,32個(gè)bank(無(wú)獨(dú)立RECC),帶來(lái)更大的帶寬。

　　突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Lengths,簡(jiǎn)稱(chēng)BL):是指同一行中相鄰的存儲(chǔ)單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?連續(xù)傳輸所涉及到存儲(chǔ)單元(列)的數(shù)量就是突發(fā)長(zhǎng)度。早期的DDR、DDR2突發(fā)長(zhǎng)度為4,DDR3 、DDR4為 8,DDR5 的BL增加到了 16。

　　DDR5金手指仍為288個(gè)針腳,為了適應(yīng)雙通道設(shè)計(jì),DDR5的針腳布局和DDR4有所不同。

　　DDR5擁有一個(gè)PMIC芯片。相對(duì)于上代內(nèi)存,電壓調(diào)節(jié)從主板轉(zhuǎn)移到單個(gè)DIMM上,讓DIMM負(fù)責(zé)自己的電壓調(diào)節(jié)需求。這降低了電路板的復(fù)雜性,同時(shí)也增加了供電的穩(wěn)定、效能。

　　DDR5 擁有On die ECC(芯片集成ECC)。主要用來(lái)提高先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的良率,從而降低 DRAM 芯片成本。On die ECC檢測(cè)在刷新期間發(fā)生在cell或Row的錯(cuò)誤。和獨(dú)立芯片RECC不同,當(dāng)數(shù)據(jù)從cell移動(dòng)到緩存或 CPU 時(shí),如果有位翻轉(zhuǎn)或數(shù)據(jù)損壞,它不會(huì)被On die ECC 糾正。

　　其他的不同還有DDR5支持XMP 3.0,SPD可寫(xiě)入5組XMP信息,比DDR4所采用的XMP 2.0多3組。

　　從特征上來(lái)看,DDR5內(nèi)存相比DDR4的升級(jí)點(diǎn)還是很多的,12代酷睿處理器CPU可搭配DDR4或者DDR5內(nèi)存,目前Z690平臺(tái)主板一般會(huì)支持DDR5內(nèi)存,而更定位更低一些的B660主板應(yīng)該會(huì)有更多廠(chǎng)商會(huì)采用DDR4內(nèi)存插槽。

　　測(cè)試平臺(tái)配置:

　　處理器intel 12代酷睿 i5-12600K ,華碩ROG Z690 Hero主板,顯卡RTX 3070,硬盤(pán)為WD_Black SN850。

　　上機(jī)后主板能正確識(shí)別內(nèi)存容量和頻率,但是主板BIOS目前只支持到XMPII。

　　由于這組內(nèi)存比較新,MemTest 86軟件中暫時(shí)無(wú)法讀取SPD信息。

　　內(nèi)存測(cè)試可以順利通過(guò)。

　　在臺(tái)風(fēng)軟件中仍然不可以讀SPD信息,在CPU-Z可以讀取到大部分信息,內(nèi)存的生產(chǎn)日期是2021年第40周。

　　在4800MHz頻率C4時(shí)序下,內(nèi)存的讀取:74172MB/s,寫(xiě)入讀取:68860MB/s、,復(fù)制帶寬66982MB/s。內(nèi)存的延遲則為85.7ns,三級(jí)緩存的延遲為16.0ns。

　　如果是DDR4 3600Hz～4000MHz的內(nèi)存條,讀寫(xiě)速率通常在3.5萬(wàn)～4.5萬(wàn)MB/s,DDR5內(nèi)存條在讀寫(xiě)速率和帶寬表現(xiàn)上提升還是比較大的。

　　在時(shí)序和延遲上DDR5看上去要比DDR4大很多,但內(nèi)存時(shí)序要換算成延遲時(shí)間,在同頻率下的內(nèi)存條才能直接對(duì)比時(shí)序,例如3600MHz 的 c16延時(shí)是 16 / 2000MHz = 8.8ns,2400MHz 的 c14延時(shí)是 14 / 1200MHz = 11.6ns,而4800 cl40則是16.7ns,從指標(biāo)上來(lái)說(shuō),DDR5延時(shí)并不會(huì)比DDR4大很多,在實(shí)際使用中對(duì)于系統(tǒng)性能的影響沒(méi)有帶寬那么大。

　　每一代新內(nèi)存推出時(shí),都會(huì)遇到相同的問(wèn)題,DDR3 1600時(shí)序一般為C12,DDR4 2666的時(shí)序大部分為 C19,而DDR5看上去時(shí)序指標(biāo)不如DDR4內(nèi)存,但是DDR5的架構(gòu)改變、通道增加、頻率提升、電壓降低等特性使得DDR5在技術(shù)和提升空間上要比DDR4好很多。

　　對(duì)于消費(fèi)者而言,每一代新的內(nèi)存條推出因?yàn)楣┙o側(cè)的原因,價(jià)格總是比上一代的內(nèi)存條貴,但是隨著未來(lái)支持DDR5的主板越來(lái)越多,DDR5內(nèi)存鋪貨及價(jià)格也會(huì)逐漸回到一個(gè)比較均衡的水平。

　　在游戲測(cè)試中,相近顯卡配置下,DDR4和DDR5并不會(huì)在幀率上有太大差距,而且測(cè)試還沒(méi)有排除CPU性能差距造成的影響。

　　但在游戲之外的生產(chǎn)力方面,由于巨大的帶寬優(yōu)勢(shì),DDR5內(nèi)存在很多領(lǐng)域是遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于DDR4內(nèi)存。比如我們常用的WINRAR、7-ZIP等壓縮解壓縮工具,或者是Adobe全家桶等等這些,DDR5內(nèi)存的工作效率都要遠(yuǎn)勝于DDR4內(nèi)存。1.1V的電壓也為未來(lái)DDR5超頻提升提供了一個(gè)很好的條件,如果電壓提升到1.2V,頻率提升到5200MHz以上,DDR5內(nèi)存條的性能優(yōu)勢(shì)會(huì)更加明顯。(文章來(lái)源：數(shù)玩工場(chǎng))