為減少資本支出，美光將基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技術(shù)推遲到 2025 年

　　12 月 23 日消息，美國最大存儲芯片制造商美光科技周三宣布，公司將在 2023 年裁員大約 10%，并停發(fā)獎金。這再次表明，科技行業(yè)的增長放緩正在影響就業(yè)。

　　作為減少資本支出的一部分，消息稱美光將使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推遲到 2025 年，232 層之后的 NAND 節(jié)點也被推遲。

　　美光 1γ 制造技術(shù)中原定于 2024 年的某個時候推出，但因為美光必須在 2023 和 2024 財年減少新設備的支出，并減少 DRAM bit 出貨量，它將不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技術(shù)上的增長速度。

　　該公司最新的 1β 制造節(jié)點 —— bit 密度提高了 35%，電源效率提高了 15%，不過這一技術(shù)依然依賴于深紫外線(DUV )光刻技術(shù)。

　　相比之下，三星和 SK 海力士已經(jīng)在其第 4 代 10nm 級存儲技術(shù)(1α、1-alpha)中的多個層使用 EUV 光刻技術(shù)，并計劃進一步強化其在第 5 代 10nm 級 DRAM 節(jié)點中的使用。

　　“鑒于我們決定放慢 1β(1-Beta)DRAM 的生產(chǎn)速度，我們預計我們的 1γ(1-gamma)技術(shù)將在 2025 年推出，”美光稱 “同樣，我們將推遲 232 層 3D NAND 存儲器以外的下一個 NAND 節(jié)點， 以適應新的需求前景和所需的供應增長。”