4月25日消息,在先進(jìn)工藝上,臺(tái)積電最近幾年搖身一變成為全球的領(lǐng)導(dǎo)者,量產(chǎn)的3nm也是目前最先進(jìn)的,Intel的主力工藝還是Intel 7,也就是之前的10nm SF工藝演進(jìn)而來。
但在未來兩年,格局可能會(huì)發(fā)生變化,因?yàn)镮ntel的目標(biāo)是4年內(nèi)掌握5代CPU工藝,特別是2024年Intel會(huì)在上半年、下半年分別量產(chǎn)20A、18A工藝,等效友商的2nm及1.8nm工藝。
18A是Intel四年掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán),是20A工藝的改進(jìn)版,每瓦性能比提升10%,同時(shí)它也是對(duì)外代工的主力,前不久還跟ARM達(dá)成了合作協(xié)議,基于18A工藝量產(chǎn)先進(jìn)的ARM芯片。
同時(shí)18A工藝是Intel跟臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵,后者的2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年才能量產(chǎn),一旦Intel如期搞定18A,那么會(huì)在技術(shù)及量產(chǎn)進(jìn)度上超越臺(tái)積電,重新成為半導(dǎo)體工藝領(lǐng)導(dǎo)者。
面對(duì)Intel的追趕甚至反超,臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家上周也回應(yīng)了此事,他表示不會(huì)評(píng)價(jià)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的發(fā)展,但臺(tái)積電的N3工藝率先實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn),是當(dāng)前最先進(jìn)的,N2工藝還會(huì)再次這么做,甚至?xí)䲠U(kuò)大領(lǐng)導(dǎo)地位。
臺(tái)積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu),首次使用GAA晶體管,相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝,在相同功耗下,臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下,臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23~30%。
不過2nm工藝的晶體管密度僅提升了10%,相比之前的工藝提升60-70%大為縮水,更沒有達(dá)到摩爾定律所需的100%密度提升。
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