眾所周知,在芯片制造過程中,光刻膠是一項(xiàng)非常重要的材料。
因?yàn)樾酒M(jìn)行光刻工藝時(shí),就是利用投影原因,光線將芯片電路圖,照射在涂了光刻膠的硅晶圓片上,然后光刻膠見光就會(huì)發(fā)生變化。
與光刻機(jī)對(duì)應(yīng),光刻膠也按工藝劃分,有g(shù)線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。
g線、i線主要用于250nm以上工藝,KrF一般用于250nm-130nm工藝,ArF一般用于130nm-14nm,而EUV用于EUV光刻工藝,主要用于7nm以下工藝。
國內(nèi)g線、i線、KrF工藝上能夠生產(chǎn)光刻膠,但自給率不高,g線、i線在20-30%左右,而KrF在5-10%左右。ArF在2022年前國內(nèi)自給率基本接近于0,至于EUV就想都沒想了,目前全球僅日本能夠生產(chǎn)EUV光刻膠。
從全球光刻膠市場來看,日本掌握最領(lǐng)先的光刻膠配方和工藝,東京應(yīng)化、JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)等日本廠商占據(jù)80%以上市場份額。
這樣的情況,對(duì)中國芯的發(fā)展,當(dāng)然非常不利,所以隨著國產(chǎn)芯片大發(fā)展,供應(yīng)鏈也是集體突破,所以這幾年國內(nèi)也有幾家光刻膠企業(yè),在向ArF發(fā)起沖擊,想要在14nm及以上的工藝上實(shí)現(xiàn)0的突破,打破國外壟斷。
2022年就有好幾家企業(yè)表示,自己生產(chǎn)的ArF光刻膠,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了60nm、45nm等工藝的覆蓋,并且接到了訂單等。
而6月2日,國產(chǎn)光刻膠大廠南大光電在互動(dòng)平臺(tái)上稱,公司開發(fā)了多款A(yù)rF光刻膠在下游客戶處驗(yàn)證,制程覆蓋28nm~90nm。
很明顯,南大光電再次打破了國外壟斷,畢竟28nm工藝的光刻膠,之前國內(nèi)是完全生產(chǎn)不出來的,只能從日本進(jìn)口。
目前美國正在逆全球化,聯(lián)手日本、荷蘭等,對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行打壓,所以半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要,光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心原材料,技術(shù)壁壘高,原料自主可控尤為關(guān)鍵。
希望更多的廠商,能夠在光刻膠、光刻機(jī)等等設(shè)備和材料上,不斷的突破,打破國外的壟斷,讓國外無法卡我們的脖子。
同時(shí)國產(chǎn)晶圓廠,也應(yīng)該努力的加強(qiáng)與國產(chǎn)供應(yīng)鏈的合作,及時(shí)試用產(chǎn)品,加快產(chǎn)品驗(yàn)證與導(dǎo)入速度,給國產(chǎn)供應(yīng)鏈以更好的成長環(huán)境和基礎(chǔ)。
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