國產(chǎn)光刻膠爆發(fā)：已覆蓋28nm~90nm，打破日本壟斷

　　眾所周知，在芯片制造過程中，光刻膠是一項非常重要的材料。

　　因為芯片進行光刻工藝時，就是利用投影原因，光線將芯片電路圖，照射在涂了光刻膠的硅晶圓片上，然后光刻膠見光就會發(fā)生變化。

　　與光刻機對應(yīng)，光刻膠也按工藝劃分，有g(shù)線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。

　　g線、i線主要用于250nm以上工藝，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工藝，主要用于7nm以下工藝。

　　國內(nèi)g線、i線、KrF工藝上能夠生產(chǎn)光刻膠，但自給率不高，g線、i線在20-30%左右，而KrF在5-10%左右。ArF在2022年前國內(nèi)自給率基本接近于0，至于EUV就想都沒想了，目前全球僅日本能夠生產(chǎn)EUV光刻膠。

　　從全球光刻膠市場來看，日本掌握最領(lǐng)先的光刻膠配方和工藝，東京應(yīng)化、JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)等日本廠商占據(jù)80%以上市場份額。

　　這樣的情況，對中國芯的發(fā)展，當(dāng)然非常不利，所以隨著國產(chǎn)芯片大發(fā)展，供應(yīng)鏈也是集體突破，所以這幾年國內(nèi)也有幾家光刻膠企業(yè)，在向ArF發(fā)起沖擊，想要在14nm及以上的工藝上實現(xiàn)0的突破，打破國外壟斷。

　　2022年就有好幾家企業(yè)表示，自己生產(chǎn)的ArF光刻膠，已經(jīng)實現(xiàn)了60nm、45nm等工藝的覆蓋，并且接到了訂單等。

　　而6月2日，國產(chǎn)光刻膠大廠南大光電在互動平臺上稱，公司開發(fā)了多款A(yù)rF光刻膠在下游客戶處驗證，制程覆蓋28nm~90nm。

　　很明顯，南大光電再次打破了國外壟斷，畢竟28nm工藝的光刻膠，之前國內(nèi)是完全生產(chǎn)不出來的，只能從日本進口。

　　目前美國正在逆全球化，聯(lián)手日本、荷蘭等，對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行打壓，所以半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心原材料，技術(shù)壁壘高，原料自主可控尤為關(guān)鍵。

　　希望更多的廠商，能夠在光刻膠、光刻機等等設(shè)備和材料上，不斷的突破，打破國外的壟斷，讓國外無法卡我們的脖子。

　　同時國產(chǎn)晶圓廠，也應(yīng)該努力的加強與國產(chǎn)供應(yīng)鏈的合作，及時試用產(chǎn)品，加快產(chǎn)品驗證與導(dǎo)入速度，給國產(chǎn)供應(yīng)鏈以更好的成長環(huán)境和基礎(chǔ)。