瑞薩電子宣布以 3.39 億美元收購(gòu)美國(guó) Transphorm

　　1月15日消息，瑞薩電子宣布以每股 5.10 美元、總額 3.39 億美元(約 24.34 億元人民幣)收購(gòu)美國(guó)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm,，相比 1 月 10 日的收盤價(jià)溢價(jià)約 35%。

　　官方表示，此次收購(gòu)將使瑞薩獲得 GaN 內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器 / 適配器等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。

　　GaN 可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更高效、更輕的結(jié)構(gòu)以及更低的總體成本。根據(jù)行業(yè)研究，GaN 的需求預(yù)計(jì)每年將增長(zhǎng) 50% 以上。

　　瑞薩表示，他們將采用 Transphorm 的汽車級(jí) GaN 技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案，例如用于電動(dòng)汽車的 X-in-1 動(dòng)力總成解決方案，以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。

　　瑞薩電子還表示，隨著全球?qū)Ω咝щ娏ο到y(tǒng)的需求不斷增加，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC )和 GaN 為代表的寬禁帶(WBG )材料過渡。

　　在此背景下，瑞薩宣布已建立一條內(nèi)部 SiC 生產(chǎn)線，并簽署了為期 10 年的 SiC 晶圓供應(yīng)協(xié)議。