賺錢窗口期出現(xiàn)，芯片廠要下重注了

　　2023年，全球芯片市場低迷，需求不振，使得各大晶圓廠(包括晶圓代工和IDM)產(chǎn)能利用率都不高，抑制了晶圓廠投資。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2023年，全球晶圓廠設(shè)備支出同比下降了22%。

　　近兩年，先進制程工藝(5nm及以下)還處在投入期，整體發(fā)展情況還不錯，但僅限于那兩三家頭部企業(yè)。而涉及晶圓廠數(shù)量和產(chǎn)業(yè)鏈更多、更廣的成熟制程市場則很慘淡，整體產(chǎn)能利用率不高，這對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不管是設(shè)備還是材料來說，都很不利，全面影響著產(chǎn)業(yè)投入和資本支出。

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　　2023年的低預(yù)算

　　據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2023年前三個季度，各晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率表現(xiàn)都不理想，全年產(chǎn)值同比減少約4%。因此，各晶圓代工廠紛紛縮減了2023年用于設(shè)備采購等的資本支出，產(chǎn)能擴張速度減緩。

　　以臺積電為例，該晶圓代工龍頭在2023年第二季度就降低了全年的資本支出預(yù)期，下半年再次下調(diào)，使其全年支出在300億美元左右，低于2022年的363億美元，這是該公司近8年來首次出現(xiàn)年度資本支出下滑的情況。

　　建廠擴產(chǎn)方面，臺積電在高雄、南科、中科與竹科的多個擴產(chǎn)項目全面放緩，產(chǎn)能重新調(diào)配。原計劃在高雄建兩座新廠，包括7nm和28nm制程產(chǎn)線，但高雄廠7nm廠房因智能手機和PC市場需求疲軟而宣布暫緩，相關(guān)機電工程標案延后1年，無塵室及裝機作業(yè)隨之延后。此外，3nm也由快進模式轉(zhuǎn)為緩慢擴張模式。原計劃2023年量產(chǎn)的Fab 18廠P7延至2024年。

　　三星7nm以下先進制程客戶高通、英偉達等旗艦新品轉(zhuǎn)單出走，沒有體量相當(dāng)?shù)男驴蛻籼钛a產(chǎn)能，導(dǎo)致三星2023全年先進制程產(chǎn)能利用率處在約60%的低位。

　　聯(lián)電總經(jīng)理王石表示，2023年，隨著客戶持續(xù)消化庫存，聯(lián)電的業(yè)務(wù)受到晶圓需求疲軟的影響，*季度晶圓出貨量環(huán)比下降17.5%，產(chǎn)能利用率降至70%。第二季度，由于整體需求依然低迷，客戶繼續(xù)調(diào)整庫存，晶圓出貨量持平。全年來看，聯(lián)電采取了嚴格的成本控制措施，并盡可能推遲部分資本支出，以確保盈利能力。

　　2023年，格芯(GlobalFoundries)裁員超過800人，占該公司全球15000名員工的5.3%。由于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處在下行周期，格芯開始削減資本支出，放慢擴產(chǎn)進程。

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　　2024上半年見曙光

　　2023年第四季度，情況開始出現(xiàn)好轉(zhuǎn)，特別是華為發(fā)布了新的旗艦手機，掀起了一波購買潮，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)都有刺激作用，再加上火熱的AI服務(wù)器和相關(guān)芯片的熱銷，當(dāng)時，業(yè)界普遍認為，2024年，電子半導(dǎo)體業(yè)的資本支出將會有明顯提升，行業(yè)發(fā)展將轉(zhuǎn)為上行周期。

　　據(jù)IDC統(tǒng)計，2024年*季度，全球PC出貨量比2023年*季度增長1.5%，這是自2021年第四季度以來的首次同比正增長。智能手機市場回暖要早一些，在2023年第四季度轉(zhuǎn)為正增長，增幅達到8.5%，這是自2021年第二季度以來的首次同比正增長，2024年*季度繼續(xù)增長，增幅為7.8%。盡管2024年*季度呈積極趨勢，但IDC預(yù)計2024全年P(guān)C和智能手機市場的增幅并不大，分別為2.4%和2.8%。2024下半年表現(xiàn)會好于上半年，上半年市場表現(xiàn)還是有些弱，導(dǎo)致全年增長不明顯。

　　2024上半年剛剛過去，從行業(yè)的發(fā)展情況來看，與2023年末的預(yù)判基本一致，只是市場還有些振蕩，更像是一個過渡期，下半年，全球整體市場需求回升會更明顯，芯片銷售的整體增長，將帶動各晶圓廠產(chǎn)能利用率提升。

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　　晶圓代工和存儲芯片拔頭籌

　　從目前的發(fā)展情況來看，在全球芯片制造業(yè)各板塊當(dāng)中，晶圓代工和存儲芯片的回暖跡象最明顯，也*代表性。

　　首先看晶圓代工

　　摩根大通(小摩)證券的晶圓代工產(chǎn)業(yè)報告指出，晶圓代工去庫存將結(jié)束。小摩臺灣區(qū)研究部主管Gokul Hariharan分析，*季度已到谷底，由于AI需求持續(xù)上升，非AI需求也逐漸恢復(fù)，急單也開始出現(xiàn)，大尺寸面板驅(qū)動IC(LDDIC)、電源管理IC(PMIC)、WiFi 5和WiFi 6芯片等需求升溫，顯示出晶圓代工業(yè)開始轉(zhuǎn)向復(fù)蘇。

　　非AI需求方面，消費、通信、計算等垂直市場在今年*季度觸底，不過，汽車、工業(yè)需求可能要等到2024年底、2025年初才能恢復(fù)。

　　值得注意的是，中國大陸晶圓代工廠產(chǎn)能利用率恢復(fù)速度很快，這主要是因為本土IC設(shè)計公司較早開始調(diào)整庫存，庫存正逐漸正�；�。

　　不過，SEMI坦言，目前，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍偏低，特別是成熟制程，2024上半年沒有復(fù)蘇的跡象。

　　晶圓廠資本支出與產(chǎn)能利用率高度相關(guān)，總體來看，2023年第四季度支出年減17%，2024年*季度也下滑了11%，預(yù)計第二季度將重返增長軌道，但也只是微增0.7%。預(yù)計與存儲器相關(guān)的資本支出將增長8%，幅度高于非存儲器領(lǐng)域。

　　下面看一下存儲芯片

　　據(jù)TrendForce統(tǒng)計，在剛剛過去的第二季度，存儲器供應(yīng)商及買方的庫存水平?jīng)]有顯著變化，第三季度，智能手機和CSP廠商仍有補庫存的空間，且將進入生產(chǎn)旺季。預(yù)計智能手機和服務(wù)器將帶動存儲器出貨量進一步增加。

　　第三季度，通用型服務(wù)器需求復(fù)蘇，加上內(nèi)存供應(yīng)商進一步拉高HBM的生產(chǎn)比重，預(yù)估PC DRAM價格將延續(xù)漲勢，均價季增3%-8%。通用型服務(wù)器受惠于旺季備貨需求，使得DDR5合約價漲幅上調(diào)至8%-13%。

　　NAND Flash方面，第三季度，企業(yè)會持續(xù)投資服務(wù)器建設(shè)，SSD受惠于AI應(yīng)用擴張，相關(guān)訂單將繼續(xù)增長。不過，消費類電子市場需求持續(xù)低迷，加上原廠下半年增產(chǎn)積極，預(yù)計NAND Flash供過于求的比例將上升至2.3%，NAND Flash均價漲幅將收斂至季增5%-10%。

　　綜觀NAND Flash今年價格走勢，由于原廠上半年控制增產(chǎn)，使價格加速反彈，但隨著各大廠商下半年開始擴產(chǎn)，但零售市場還未復(fù)蘇，wafer現(xiàn)貨價將下跌。

　　以上說的都是數(shù)字、邏輯芯片，相比而言，模擬芯片的市場行情就差很多了，這主要是工業(yè)和汽車應(yīng)用市場惹的禍，如前文所述，恐怕要到今年底才能復(fù)蘇。模擬芯片龍頭企業(yè)德州儀器(Texas Instruments)的業(yè)績可以從一個側(cè)面反映出這一市場狀況。

　　2024年*季度，德州儀器營收年減16%(季減10%)至36.61億美元，營益年減34%。德州儀器擁有芯片業(yè)最長的客戶名單和最多樣化的產(chǎn)品類別，使其成為整個模擬芯片產(chǎn)業(yè)的晴雨表。

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　　為2025做準備，各大晶圓廠提升資本支出

　　目前來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入新的上行周期，各大晶圓廠終于等來了新的增長窗口期，開始增加資本支出、擴充產(chǎn)能，典型代表是臺積電、三星、SK海力士、美光，以及中芯國際和華虹半導(dǎo)體。

　　因持續(xù)加碼2nm等*進制程研發(fā)和生產(chǎn)，臺積電表示，2025年資本支出將達到320億~360億美元(2024年為280億~320億美元)，為歷年次高，年增12.5%~14.3%。

　　據(jù)悉，客戶對臺積電2nm制程產(chǎn)能的需求超乎預(yù)期的強勁，除了蘋果先前率先包下臺積電2nm首批產(chǎn)能，非蘋應(yīng)用客戶也因AI蓬勃發(fā)展而積極規(guī)劃采用。因此，臺積電持續(xù)推進2025年2nm量產(chǎn)目標，先前，寶山*廠的2nm產(chǎn)線在2024年4月搬入設(shè)備，寶山第二廠也在跟進，高雄廠規(guī)劃擴充2nm產(chǎn)能，最快2025年第三季度搬入相關(guān)設(shè)備，南科也將加入生產(chǎn)，將從2025年底至2026年持續(xù)擴充相關(guān)產(chǎn)能。

　　韓國兩強三星和SK海力士也在籌集資金，準備在2025年大幅擴產(chǎn)。

　　7月1日，據(jù)韓國經(jīng)濟日報披露，三星電子和SK海力士正考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行提出貸款申請，以進一步推動其業(yè)務(wù)擴張。據(jù)報道，三星電子計劃申請的貸款額度高達5萬億韓元，SK海力士則瞄準了3萬億韓元，折合人民幣分別為263.8億元和158.28億元。

　　據(jù)悉，SK海力士此次貸款的主要目的是填補其龐大的投資規(guī)劃與現(xiàn)有資金儲備之間的差距。該公司計劃在京畿道龍仁半導(dǎo)體集群進行超過120萬億韓元的巨額投資，并在美國印第安納州投入40億美元建設(shè)AI服務(wù)器存儲芯片封裝廠。然而，其一季度末的現(xiàn)金儲備僅為8.2萬億韓元。

　　SK海力士將于2025年3月開始建設(shè)其名為龍仁半導(dǎo)體集群的大型晶圓廠綜合體，該綜合體包括4個獨立的晶圓廠，一旦完工，它可能會成為世界上*的晶圓廠綜合體。

　　美光公司在2024財年的資本支出計劃約為80億美元，在2024財年第四季度，該公司將花費約30億美元用于晶圓廠建設(shè)、新的晶圓廠設(shè)備，以及各種擴建和升級。

　　2025財年，美光計劃大幅增加資本支出，目標是營收的30%左右，共約120億美元，以支持各種技術(shù)和設(shè)施的更新，該公司大幅增加的2025財年支出，將用于在愛達荷州和紐約州建設(shè)新晶圓廠，同時，資助高帶寬內(nèi)存(HBM)的組裝和測試，以及制造和后端設(shè)施的建設(shè)，還包括對技術(shù)轉(zhuǎn)型的投資。

　　美光晚于三星和 SK 海力士使用EUV技術(shù)，為了在2025年實現(xiàn)EUV DRAM的量產(chǎn)，增加投資也是必要的。

　　美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra表示，雖然美光在EUV光刻設(shè)備的使用上稍微落后，但是，使用EUV的1γ制程工藝DRAM芯片試產(chǎn)進展順利，有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　美光對1γ制程DRAM寄予厚望，希望能制造出業(yè)內(nèi)便宜且更節(jié)能的存儲芯片。目前，相關(guān)試產(chǎn)工作正在美光位于日本廣島的工廠中進行，作為試產(chǎn)計劃的一部分，首批采用1γ制程的DRAM也會在這里制造。

　　英特爾計劃2024年將資本支出提高2%，達到262億美元，該公司將增加代工客戶和內(nèi)部產(chǎn)品的產(chǎn)能。

　　下面看一下中國大陸晶圓代工雙雄的表現(xiàn)

　　2024年*季度，中芯國際銷售收入為17.5億美元，環(huán)比增長4.3%，同比增長19.7%，月產(chǎn)能由2023年第四季度的80.55萬片8英寸晶圓約當(dāng)量增加至81.45萬片，產(chǎn)能利用率提升至80.8%。該季度內(nèi)，中芯國際資本支出158.73億元，上季度為167.08億元。展望第二季度，中芯國際計劃資本支出持平。

　　2024年*季度，華虹半導(dǎo)體的銷售收入為4.60億美元，相較于去年同期的6.31億美元有所下降，但與上一季度的4.55億美元相比，實現(xiàn)了1%的增長。華虹半導(dǎo)體歸屬于母公司股東的凈利潤為3180萬美元，同比下降了79.1%。該公司將凈利潤下降歸因于平均銷售價格的下降。該季度內(nèi)，華虹半導(dǎo)體資本開支3.026億美元，上季度為3.31億美元。

　　總體來看，在未來一年左右時間內(nèi)，大廠，特別是以先進制程為主的資本支出普遍提升，而以成熟制程為主的晶圓廠資本支出變化不大。

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　　半導(dǎo)體設(shè)備水漲船高

　　晶圓大廠資本支出增長，半導(dǎo)體設(shè)備是直接受益方。

　　SEMI發(fā)布的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2023年，全球晶圓廠設(shè)備支出從2022年創(chuàng)紀錄的980億美元，同比下降22%，至760億美元，2024年，將同比增長21%，至920億美元。

　　SEMI數(shù)據(jù)顯示，中國臺灣2024年晶圓廠設(shè)備支出將達249億美元，繼續(xù)位居全球之冠，韓國次之，約210億美元。中國大陸約160億美元，與2023年相當(dāng)，居全球第三。預(yù)計美洲仍將是第四大支出地區(qū)，2024年投資額將達到創(chuàng)紀錄的110億美元，同比增長23.9%，歐洲和中東地區(qū)的投資也將創(chuàng)紀錄，有望增長36%，達到82億美元。2024年，日本和東南亞的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計將分別增至70億美元和30億美元。

　　在所有半導(dǎo)體設(shè)備中，最為引人關(guān)注的依然是EUV光刻機。

　　供應(yīng)鏈指出，ASML對2025年度的產(chǎn)能規(guī)劃是：EUV設(shè)備90臺，DUV 600臺，High-NA EUV 20臺。

　　在產(chǎn)能持續(xù)擴充的情況下，ASML在2025年交付的數(shù)量有望比原計劃增加30%。供應(yīng)鏈廠商透露，EUV設(shè)備供應(yīng)持續(xù)緊張，交期長達16~20個月，2024年訂單大部分要等到2026年才能交付。

　　據(jù)悉，今年臺積電EUV訂單達30臺，2025年35臺。

　　臺積電先進制程產(chǎn)能逐漸釋放出來，以3nm臺南廠為例，第三季度將進入量產(chǎn)階段，2025年，P8廠也會有EUV設(shè)備陸續(xù)導(dǎo)入，新竹寶山2nm產(chǎn)線持續(xù)3年拉貨EUV，高雄2nm產(chǎn)線也在同步進行。

　　據(jù)悉，臺積電美國P1A工程追加款項有望在今年第三季度到位，且該廠區(qū)已進入建設(shè)尾聲，加上臺積電在島內(nèi)外其它廠區(qū)的建設(shè)需求，如新竹寶山、日本熊本、高雄楠梓及封測廠等，對半導(dǎo)體設(shè)備需求量很可觀。

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　　結(jié)語

　　2024年，各大晶圓廠已經(jīng)開始加大資本支出，但也只是預(yù)熱，真正的高潮要到2025年才會到來。因此，2024年是過渡期，短期內(nèi)難以看到特別明顯的影響出現(xiàn)，要等到2025年之后才會發(fā)生。

　　在2023年全球半導(dǎo)體市場下跌8.2%之后，許多公司對2024年的資本支出持謹慎態(tài)度。據(jù)Semiconductor Intelligence統(tǒng)計，2023年，全球半導(dǎo)體總資本支出為1690億美元，比2022年下降7%，預(yù)計2024年的資本支出依然是負增長，將下降2%。

　　由于模擬芯片和成熟制程晶圓代工占有非常大的市場份額，而這兩個板塊的市場行情依然低迷，相關(guān)廠商在2024年難以擴大資本支出。例如，格芯預(yù)計2024年的資本支出將削減61%，意法半導(dǎo)體將削減39%的資本支出，而英飛凌將削減3%。這在很大程度上削弱了全行業(yè)的資本支出水平。