臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定

　　《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。

　　對此，臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。

　　上個月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8 億美元(IT之家備注：當前約 27.6 億元人民幣)。

　　在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特爾開始交付全球首臺 High NA EUV 光刻機 TWINSCAN EXE:5000 的首批模塊，并已于今年 4 月 18 日完成組裝。

　　ASML 表示，這臺光刻機重量高達 150 噸，相當于兩架空中客車 A320 客機，全套系統(tǒng)需要 43 個貨運集裝箱內(nèi)的 250 個貨箱來裝運，一開始預計需要 250 名工程人員、歷時 6 個月才能完成安裝。

　　資料顯示，ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率達 8nm，可以實現(xiàn)比現(xiàn)有 EUV 光刻機小 1.7 倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。據(jù)介紹，EXE:5000 每小時可印刻 185 個以上的晶圓，而且 ASML 還制定了到 2025 年提高到每小時 220 片晶圓的計劃。

　　也就是說，ASML 第一代 High NA EUV 并不是專門用于芯片量產(chǎn)的機型，而是用于尖端工藝的開發(fā)和驗證;其第二代 High NA EUV 光刻機才是主要面向于尖端制程量產(chǎn)的光刻系統(tǒng)。值得一提的是，英特爾此前已宣布將率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系統(tǒng)。