三星或采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)混合鍵合專利，V10 NAND 將于2025年下半年量產(chǎn)

　　據(jù)韓媒ZDNet報(bào)道，三星計(jì)劃從第10代(V10)NAND閃存開(kāi)始，可能使用中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合專利技術(shù)。這一決定標(biāo)志著存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的新篇章。三星預(yù)計(jì)將于2025年下半年大規(guī)模生產(chǎn)V10 NAND，產(chǎn)品層數(shù)將達(dá)到420至430層。

　　隨著NAND技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)COP(Cell on Peripheral)技術(shù)在超過(guò)400層時(shí)面臨可靠性挑戰(zhàn)。為此，三星正尋求替代方案，并與長(zhǎng)江存儲(chǔ)等公司協(xié)商專利協(xié)議。長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借其晶棧Xtacking技術(shù)，在閃存領(lǐng)域建立了強(qiáng)大的專利組合，該技術(shù)能有效提升數(shù)據(jù)I/O接口速度和操作功能。

　　知情人士透露，美國(guó)Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和臺(tái)積電掌握著多數(shù)混合鍵合專利。面對(duì)下一代NAND如V10、V11和V12的技術(shù)瓶頸，三星選擇合作以確保順利過(guò)渡。