全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性,且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,是確保車規(guī)級品質(zhì)的高可靠性產(chǎn)品。另外,產(chǎn)品采用了ROHM獨(dú)有的封裝加工技術(shù),非常有助于對品質(zhì)要求高的高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)攝像頭模塊等汽車電子的小型化。
RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品(樣品價格 100日元/個,不含稅),預(yù)計于2019年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個規(guī)模投入量產(chǎn)。
近年來,ADAS不可或缺的車載攝像頭,受安裝空間的限制,對所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求,在保持大電流的前提下,有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。
另一方面,對于汽車電子產(chǎn)品,為確?煽啃裕瑫诋a(chǎn)品安裝后進(jìn)行外觀檢測※1),但由于底部電極封裝在側(cè)面沒有充分形成穩(wěn)定的焊接面,因此無法確保汽車電子需要的焊料高度,并且很難確認(rèn)安裝后的焊接狀態(tài),這是長期以來存在的課題。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)先產(chǎn)品的開發(fā),并創(chuàng)造了傲人業(yè)績。此次,通過引入ROHM獨(dú)有工藝方法的 Wettable Flank成型技術(shù)※2),底面電極封裝也能形成焊接面。作為業(yè)界首家※保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度,因此可在產(chǎn)品安裝后的外觀檢測中可以充分確認(rèn)焊接狀態(tài)。
未來,ROHM會充分運(yùn)用Wettable Flank成型技術(shù)優(yōu)勢,繼續(xù)開發(fā)小型封裝技術(shù),并將技術(shù)優(yōu)勢從MOSFET擴(kuò)展到雙極晶體管和二極管產(chǎn)品,持續(xù)擴(kuò)充追求小型高可靠性的產(chǎn)品陣容。
※截至2019年7月23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)
<特點(diǎn)>
1.利用融入ROHM獨(dú)有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù),保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度
Wettable Flank成型技術(shù)是在封裝側(cè)面的引線框架部加入切割再進(jìn)行電鍍的技術(shù)。但是,引線框架切割高度越高越容易產(chǎn)生毛刺。
為此,ROHM開發(fā)出獨(dú)有的工藝方法,在引線框架整個表面上設(shè)置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產(chǎn)品安裝時的傾斜和焊接不良,而且作為DFN1616封裝產(chǎn)品(1.6mm×1.6mm),業(yè)界首家保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度。
2.替換為小型底部電極 MOSFET,削減安裝面積
以往ADAS攝像頭模塊的反接保護(hù)電路主要采用肖特基勢壘二極管(SBD)。但是,隨著攝像頭的分辨率日益提高,在超大電流化方向發(fā)展的車載市場,由于小型底部電極MOSFET具有導(dǎo)通電阻低且可減少發(fā)熱量的特點(diǎn),替換掉SBD已經(jīng)是大勢所趨。
例如電流2.0A、功耗0.6W時,在車載市場被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET,與SBD相比,可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET,由于是底部電極,散熱性更好,不僅可實(shí)現(xiàn)小型化,還可實(shí)現(xiàn)大電流化。因此,與傳統(tǒng)的SBD相比,其安裝面積可削減78%,與普通的MOSFET相比,其安裝面積可削減68%。
<產(chǎn)品陣容>
<術(shù)語解說>
※1)外觀檢測
也稱自動光學(xué)檢查或AOI(Automated Optical Inspection)。例如,用攝像頭掃描電路板,以檢查部件缺陷和品質(zhì)缺陷、焊接狀態(tài)等。
※2)Wettable Flank技術(shù)
在QFN和DFN等底部電極封裝的側(cè)面引線框架部加入切割再進(jìn)行電鍍加工,在側(cè)面也形成電極的技術(shù)。
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