三巨頭對(duì)決2納米：臺(tái)積電計(jì)劃2025量產(chǎn) 三星英特爾跟進(jìn)

　　繼今年6月首度公布2納米制程路線圖后，備受關(guān)注的芯片制造巨頭臺(tái)積電的高端制程量產(chǎn)推進(jìn)時(shí)間表也于近日敲定。公開報(bào)道指出，臺(tái)積電先進(jìn)制程目前進(jìn)展順利，3納米將于今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版的3納米制程將于2023年量產(chǎn)，2納米則預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)。

　　作為全球最先進(jìn)的芯片制程，臺(tái)積電2納米首次采用全新架構(gòu)。據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家在此前的技術(shù)論壇上透露，相較3納米制程，采用新架構(gòu)的2納米制程芯片在相同功耗下頻率可提升10%至15%，在相同頻率下功耗能降低25%至30%。值得注意的是，2納米將是臺(tái)積電工藝制程方面的一個(gè)轉(zhuǎn)型節(jié)點(diǎn)。

　　由于傳統(tǒng)的架構(gòu)工藝已經(jīng)接近效能極限，臺(tái)積電最大的對(duì)手三星、英特爾已經(jīng)在3納米上使用最新工藝架構(gòu)，但或是出于保守考慮，臺(tái)積電3納米仍然沿用了傳統(tǒng)架構(gòu)工藝，這使得業(yè)內(nèi)對(duì)臺(tái)積電3納米芯片的性能產(chǎn)生了頗多質(zhì)疑。隨著最新制程的時(shí)間表陸續(xù)敲定，業(yè)內(nèi)認(rèn)為，臺(tái)積電將進(jìn)一步拉開與三星、英特爾的差距。

　　CHIP全球測(cè)試中心中國(guó)實(shí)驗(yàn)室主任羅國(guó)昭向記者表示，臺(tái)積電在2納米制程上的轉(zhuǎn)型發(fā)力如果成功，會(huì)將此前在頭部客戶積累上的優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步放大，這也意味著全球芯片制造市場(chǎng)的馬太效應(yīng)或?qū)⑦M(jìn)一步加劇。