汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng) (EDR) 市場的發(fā)展正在推動(dòng)對(duì)專用數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)設(shè)備的需求,這些設(shè)備需要即時(shí)捕捉關(guān)鍵數(shù)據(jù)并保證數(shù)據(jù)可以可靠地存儲(chǔ)數(shù)十年。
IT之家注:汽車 EDR 即大家常說的“黑匣子”,主要用于記錄車輛碰撞前、碰撞時(shí)、碰撞后三個(gè)階段中汽車的關(guān)鍵運(yùn)行數(shù)據(jù)。其記錄的信息可重現(xiàn)事故過程,用于汽車事故分析。
今天,英飛凌宣布推出兩款新的 EXCELON 系列 Ferroelectric RAM (F-RAM) 存儲(chǔ)設(shè)備,分別具有 1Mbit 和 4Mbit 的密度。值得一提的是,這是該行業(yè)首款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的串行 F-RAM。
這些新器件符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn),并可以在 -40°C 至 + 125°C 溫度范圍內(nèi)工作,補(bǔ)充了從 4Kbit 到 16Mbit 的汽車 F-RAM 產(chǎn)品組合。
據(jù)介紹,這些設(shè)備在 SPI 模式下具有高達(dá) 50 MHz 的可靠讀 / 寫性能,在 Quad SPI (QSPI) 模式下具有高達(dá) 108 MHz 的讀 / 寫性能,并且耐久度可達(dá) 10 萬億次循環(huán),可支持以 10 微秒的間隔進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄長達(dá) 20 年。
“汽車系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄需求正在迅速增長,隨著電子系統(tǒng)更廣泛應(yīng)用的趨勢和行業(yè)法規(guī)的鼓勵(lì),安全氣囊系統(tǒng)、發(fā)動(dòng)機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)等都采用了高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器,”英飛凌 RAM 解決方案副總裁拉梅什・切圖維蒂說,“隨著需要數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用數(shù)量增加,對(duì)特定用途的存儲(chǔ)密度的需求也在增長。”
據(jù)稱,EXCELON F-RAM 具有零延遲寫入功能,可以在觸發(fā)事件的前一瞬間捕捉并記錄事故或其他用戶定義數(shù)據(jù)。
這兩款新品都使用串行 (SPI / QSPI) 接口,具有 F-RAM 特有的極低功耗特性,工作電壓范圍為 1.8 V 至 3.6 V,并采用標(biāo)準(zhǔn)的 8 引腳 SOIC 封裝。
值得一提的是,除了上面提到的耐久性外,英飛凌還宣布其 F-RAM 在斷電后依然可以保留數(shù)據(jù)超過 100 年。
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