汽車(chē) EDR 存儲(chǔ)需求暴增，英飛凌推出新型 F-RAM 存儲(chǔ)器

　　汽車(chē)事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng) (EDR) 市場(chǎng)的發(fā)展正在推動(dòng)對(duì)專用數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)設(shè)備的需求，這些設(shè)備需要即時(shí)捕捉關(guān)鍵數(shù)據(jù)并保證數(shù)據(jù)可以可靠地存儲(chǔ)數(shù)十年。

　　IT之家注：汽車(chē) EDR 即大家常說(shuō)的“黑匣子”，主要用于記錄車(chē)輛碰撞前、碰撞時(shí)、碰撞后三個(gè)階段中汽車(chē)的關(guān)鍵運(yùn)行數(shù)據(jù)。其記錄的信息可重現(xiàn)事故過(guò)程，用于汽車(chē)事故分析。

　　今天，英飛凌宣布推出兩款新的 EXCELON 系列 Ferroelectric RAM (F-RAM) 存儲(chǔ)設(shè)備，分別具有 1Mbit 和 4Mbit 的密度。值得一提的是，這是該行業(yè)首款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的串行 F-RAM。

　　這些新器件符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，并可以在 -40°C 至 + 125°C 溫度范圍內(nèi)工作，補(bǔ)充了從 4Kbit 到 16Mbit 的汽車(chē) F-RAM 產(chǎn)品組合。

　　據(jù)介紹，這些設(shè)備在 SPI 模式下具有高達(dá) 50 MHz 的可靠讀 / 寫(xiě)性能，在 Quad SPI (QSPI) 模式下具有高達(dá) 108 MHz 的讀 / 寫(xiě)性能，并且耐久度可達(dá) 10 萬(wàn)億次循環(huán)，可支持以 10 微秒的間隔進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄長(zhǎng)達(dá) 20 年。

　　“汽車(chē)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄需求正在迅速增長(zhǎng)，隨著電子系統(tǒng)更廣泛應(yīng)用的趨勢(shì)和行業(yè)法規(guī)的鼓勵(lì)，安全氣囊系統(tǒng)、發(fā)動(dòng)機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)等都采用了高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器，”英飛凌 RAM 解決方案副總裁拉梅什・切圖維蒂說(shuō)，“隨著需要數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用數(shù)量增加，對(duì)特定用途的存儲(chǔ)密度的需求也在增長(zhǎng)。”

　　據(jù)稱，EXCELON F-RAM 具有零延遲寫(xiě)入功能，可以在觸發(fā)事件的前一瞬間捕捉并記錄事故或其他用戶定義數(shù)據(jù)。

　　這兩款新品都使用串行 (SPI / QSPI) 接口，具有 F-RAM 特有的極低功耗特性，工作電壓范圍為 1.8 V 至 3.6 V，并采用標(biāo)準(zhǔn)的 8 引腳 SOIC 封裝。

　　值得一提的是，除了上面提到的耐久性外，英飛凌還宣布其 F-RAM 在斷電后依然可以保留數(shù)據(jù)超過(guò) 100 年。