受英特爾3nm工藝外包延后等因素 臺(tái)積電或?qū)⑾抡{(diào)今年資本支出

　　10月17日消息 日前，有消息稱臺(tái)積電受到英特爾 3 納米工藝外包延后、美國(guó)新廠 4nm 工藝量產(chǎn)延遲等諸多因素影響，該公司今年資本指出降至 300 億美元以下。

　　據(jù)悉，臺(tái)積電即便下調(diào)今年的資本支出，也會(huì)增加研發(fā)費(fèi)用，繼續(xù)推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)。

　　積電迅速擴(kuò)大資本支出，去年達(dá)到 363 億美元的歷史新高。今年上半年，實(shí)際資本支出為 181.1 億美元，其中第二季度為 81.7 億美元，較第一季度的 99.4 億美元略有下降。