數(shù)據(jù)稱半導(dǎo)體材料市場2024年預(yù)計(jì)增長7%

　　12月18日消息，電子材料咨詢公司TECHCET最新數(shù)據(jù)預(yù)測，由于半導(dǎo)體行業(yè)整體增長放緩以及晶圓廠產(chǎn)能利用率下滑，2023年半導(dǎo)體材料市場出現(xiàn)3.3%的下滑，但整體半導(dǎo)體材料市場將在2024年反彈，增長近7%，達(dá)到740億美元。

　　該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，從2023年到2027年期間，整個(gè)半導(dǎo)體材料市場預(yù)計(jì)將以超過5%的復(fù)合年增長率增長。到2027年，預(yù)計(jì)該市場規(guī)模將達(dá)到870億美元以上，新的全球晶圓廠擴(kuò)張將有助于潛在更大的市場規(guī)模。

　　盡管2023年的全球經(jīng)濟(jì)放緩緩解了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈緊張問題，但TECHCET認(rèn)為，隨著全球新晶圓廠的增加，包括12英寸晶圓、外延晶圓、一些特種氣體以及銅合金靶材的供應(yīng)預(yù)計(jì)將在2024年再度緊張，供應(yīng)緊張的程度將取決于材料供應(yīng)商擴(kuò)張延遲的情況。如果材料/化學(xué)品產(chǎn)能跟不上晶圓廠擴(kuò)張的步伐，強(qiáng)勁的需求增長可能會(huì)給供應(yīng)鏈帶來壓力。

　　除了全球晶圓廠擴(kuò)張之外，新器件技術(shù)也將推動(dòng)材料市場的增長，因?yàn)殡S著層數(shù)的增加，全柵場效應(yīng)晶體管 (GAA-FET)、3D DRAM和3D NAND需要新材料和額外的工藝步驟增加了數(shù)倍。

　　這些材料包括用于EPI硅/硅鍺的特種氣體、EUV光刻膠和顯影劑、CVD 和ALD前驅(qū)體、CMP耗材和清潔化學(xué)品(包括高選擇性氮化物蝕刻)等。

　　此外，隨著晶圓廠擴(kuò)大產(chǎn)能，其他揮之不去的供應(yīng)鏈限制和潛在的瓶頸也可能導(dǎo)致問題。例如，中美之間的地緣政治問題開始給鍺和鎵的供應(yīng)鏈帶來壓力，而由于中國在這些材料上占有重要地位，稀土供應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)正在加劇。

　　美國的另一個(gè)擔(dān)憂是可能限制材料供應(yīng)擴(kuò)張的監(jiān)管問題。繞過法規(guī)的許可可能會(huì)增加擴(kuò)建項(xiàng)目的時(shí)間和成本。

　　此外，美國政府針對EHS危害的法規(guī)可能會(huì)禁止PFAS材料的存在，迫使材料供應(yīng)商開發(fā)替代品，而這需要時(shí)間來開發(fā)和認(rèn)證。