鎧俠目標(biāo) 2031 年推出 1000 層NAND閃存，重組存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存業(yè)務(wù)

　　據(jù)日經(jīng) xTECH 報(bào)道，鎧俠 CTO 宮島英史在近日舉辦的第 71 屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示該企業(yè)目標(biāo) 2030~2031 年推出 1000 層的 3D NAND 閃存，并對(duì)存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重組。

　　鎧俠與西部數(shù)據(jù)攜手開(kāi)發(fā) NAND 閃存技術(shù)，目前這對(duì)合作伙伴最先進(jìn)的產(chǎn)品是 218 層堆疊的 BICS8 3D 閃存。BICS8 閃存可實(shí)現(xiàn) 3200MT/s的 I / O 速率。

　　另一家主要 NAND 企業(yè)三星在 2022 年的技術(shù)日上提出了類(lèi)似的觀點(diǎn)，當(dāng)時(shí)三星預(yù)測(cè)到 2030 年實(shí)現(xiàn) 1000+ 層堆疊的 3D NAND 閃存。

　　提升堆疊層數(shù)是提升單顆 3D NAND 閃存顆粒容量的主要途徑。然而在層數(shù)提升的過(guò)程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度隨著深寬比的增高逐漸加大。

　　除高難度和低良率外，高深寬比蝕刻也是一項(xiàng)耗時(shí)耗財(cái)?shù)墓に嚕耗壳懊看芜@種蝕刻約需要 1 小時(shí)，NAND 原廠若想提升產(chǎn)能，則必須購(gòu)進(jìn)更多的蝕刻機(jī)臺(tái)。

　　因此鎧俠在 BICS8 中使用了雙堆棧工藝，分開(kāi)實(shí)現(xiàn)兩個(gè) NAND 堆棧的垂直通道蝕刻。

　　此舉雖然額外增添了在雙堆棧間通道的麻煩，但整體而言還是降低了難度。未來(lái)千層堆疊 NAND 閃存有望包含更多個(gè) NAND 堆棧。

　　此外宮島英史還表示，相較于同時(shí)運(yùn)營(yíng) NAND 和 DRAM 的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，鎧俠在業(yè)務(wù)豐富程度上面處于競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)，因此有必要培育存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)等新型存儲(chǔ)產(chǎn)品業(yè)務(wù)。

　　這位 CTO 稱(chēng)，在 AI 熱潮下，DRAM 同 NAND 之間的性能差距正在拉大，而 SCM 可填補(bǔ)這一空白。

　　鎧俠于 4 月 1 日將此前的“存儲(chǔ)器技術(shù)研究實(shí)驗(yàn)室”重組為“先進(jìn)技術(shù)研究實(shí)驗(yàn)室”。其 SCM 研究將集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型內(nèi)存上，有望于 2~3 年內(nèi)出貨。

　　參考IT之家報(bào)道，鎧俠之前在 SCM 領(lǐng)域主要聚焦 XL-FLASH 閃存方案。該企業(yè)于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。