能效優(yōu)異，消息稱美光在HBM內存領域迅速成為韓廠威脅

　　韓媒 ETNews 近日報道指，在優(yōu)異能效等因素下，美光正迅速在 HBM 內存領域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國存儲企業(yè)的威脅。

　　由于多重影響，美光傳統(tǒng)上在 HBM 領域處于弱勢。但美光在 2022 年大膽放棄了 HBM3 的量產，將精力集中在了 HBM3E 內存的研發(fā)和改進上。

　　這一決策收獲了豐碩的成果：美光已接獲 HBM 最大需方英偉達的訂單，并開始向英偉達 H200 AI GPU 出貨 HBM3E 內存。

　　美光迅速成為韓廠威脅的重要原因之一是能效優(yōu)勢：美光宣稱其 8Hi 堆疊的 24GB HBM3E 內存功耗比競品低 30%。

　　AI 需求爆發(fā)的當下，低功耗技術逐漸成為業(yè)界關注的焦點。更節(jié)能的 HBM3E 內存可降低系統(tǒng)發(fā)熱和用電量，減少散熱需求，最終降低 AI 數(shù)據中心的 TCO。

　　此外，美國渴望擴大半導體自給自足率，在這一大背景下美光獲得了美國政府大量資金支持，得以新建大型存儲晶圓廠。

　　美光的美國身份也使其更容易接觸英特爾和 AMD 這另外兩家 AI 芯片企業(yè)，便于拿下更多的 HBM 訂單。

　　而在產能方面，根據 TrendForce 集邦咨詢今年 3 月的研報，美光在 2023 底的 HBM 產能僅有每月 3000 片 12 英寸晶圓，占到整體市場的 3.2%。

　　到 2024 年底，美光有望實現(xiàn)每月 20000 片晶圓的 HBM 產能，市場占比也大幅提升至 11.4%。

　　在美光未來產品方面，根據IT之家此前報道，其單堆棧容量可達 36GB 的 12Hi HBM3E 內存已于 3 月初完成采樣，計劃 2025 年實現(xiàn)大規(guī)模量產。

　　展望更遠的 HBM4 世代，韓媒稱美光計劃在 2025 下半年實現(xiàn) HBM4 內存的開發(fā)，HBM4E 的開發(fā)完成則落在 2028 年。