東芯股份：公司LPDDR4X 芯片采用 25nm 制程工藝 目前處于自主研發(fā)階段

　　5 月 10 日，東芯股份在投資者互動平臺回應(yīng)投資者關(guān)于“公司研發(fā)的 LPDDR4X 制程是多少?今年有望量產(chǎn)嗎”的問詢時表示，公司研發(fā)的 LPDDR4X 制程是 25nm，目前處于研發(fā)階段。

　　據(jù)悉，東芯股份是本土少數(shù)可以同時提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存儲芯片完整解決方案的公司，并擁有清晰自主知識產(chǎn)權(quán)。東芯股份的核心技術(shù)均來源于自主研發(fā)，經(jīng)過多年的技術(shù)積累和研發(fā)投入，在 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片的設(shè)計核心環(huán)節(jié)都擁有了自主研發(fā)能力與核心技術(shù)，包括 6 項 NAND Flash 相關(guān)技術(shù)、2 項 NOR Flash 相關(guān)技術(shù)以及 1 項 DRAM 相關(guān)技術(shù)。東芯股份設(shè)計研發(fā)并量產(chǎn)的 24nm NAND、48nm NOR 也均為大陸領(lǐng)先的 NAND、NOR 工藝制程。

　　東芯股份表示，公司將通過持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新、制程升級和性能迭代，保持公司現(xiàn)有產(chǎn)品的性能領(lǐng)先和競爭優(yōu)勢;憑借多種類存儲產(chǎn)品的優(yōu)勢，加大對物聯(lián)網(wǎng)、智能硬件應(yīng)用、汽車電子、醫(yī)療健康等新興領(lǐng)域的布局和開拓，提高公司產(chǎn)品的市場占有率，同步提升定制化產(chǎn)品及服務(wù)的能力;堅持以存儲產(chǎn)品為核心，拓展智能化外延并以應(yīng)用為導(dǎo)向，開發(fā)具有特色的存儲產(chǎn)品，通過差異化提升盈利空間;持續(xù)開拓國內(nèi)優(yōu)質(zhì)客戶，服務(wù)行業(yè)重要客戶，開始有計劃、有步驟地拓展海外市場，提升公司在歐美的市場地位和影響力。

　　另外，東芯股份持續(xù)加大研發(fā)投入，微縮產(chǎn)品制程，提高產(chǎn)品良率，并對現(xiàn)有產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化，提升公司的產(chǎn)品競爭力和盈利能力。在全球產(chǎn)能緊缺的情況下，公司積極應(yīng)對，持續(xù)推進(jìn)多元化多渠道布局，為業(yè)績增長提供產(chǎn)能保障。

　　公司聚焦中小容量通用型存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，產(chǎn)品下游主要應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備、移動終端等工業(yè)領(lǐng)域及消費(fèi)電子領(lǐng)域。隨著公司產(chǎn)品線的不斷豐富以及對客戶導(dǎo)入期逐步完成，產(chǎn)品逐步放量，銷售規(guī)模逐步擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)