6月20日,根據外媒報道,臺積電目前正在研發(fā)更先進的2nm制程工藝,計劃在2025年量產。據了解,臺積電在上周舉行的北美技術論壇上宣布他們的目標是2nm制程工藝在2025年量產,這也是他們首次透露這一工藝的量產時間。
臺積電在論壇上透露2nm制程工藝將基于全新的納米片電晶體架構,與5nm工藝所采用的鰭式場效應晶體管(FinFET)完全不同。此前有消息透露稱,臺積電2nm建廠計劃相關環(huán)保評審文件已提交送審,力爭明年上半年通過環(huán)評,隨即交地建廠,第一期廠預計2024年底前投產。在2024年進行風險試產,在2025年進行量產。
除臺積電外,三星晶圓代工業(yè)務的負責人曾表示,基于 3nm 的芯片設計計劃于 2022 年上半年開始生產,而基于 2nm 的芯片將在 2025 年量產。目前只知道三星將采用GAA晶體管,跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術,這是一種納米片晶體管,可以垂直堆疊,而且兼容現在的CMOS工藝,共享設備與制造方法,降低了新技術的升級成本。
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