彎道超車(chē)甩開(kāi)臺(tái)積電：三星官宣3nm芯片已量產(chǎn)

　　今天，三星電子在官網(wǎng)宣布，公司位于韓國(guó)的華城工廠已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。

　　這意味著，在新一代芯片工藝的節(jié)點(diǎn)上，三星成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)臺(tái)積電的彎道超車(chē)，搶先拿下了3nm芯片市場(chǎng)。

　　根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

　　與5nm相比，新開(kāi)發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。

　　不過(guò)，雖然在3nm工藝上三星拔得頭籌，但這并不代表三星在芯片代工市場(chǎng)上就能夠一帆風(fēng)順。

　　一方面，臺(tái)積電正在計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，這意味著三星方面需要加緊新技術(shù)的研發(fā)工作，以防在下一代新技術(shù)上被臺(tái)積電反超。

　　另一方面，由于4nm制程芯片的功耗問(wèn)題，高通等重要客戶對(duì)三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態(tài)度，不敢隨意進(jìn)行嘗試。