Intel 20A工藝殺手锏之一驚艷首秀！反超臺積電就靠它

　　Intel一直在積極推進(jìn)四年五代工藝節(jié)點(diǎn)的戰(zhàn)略，2021-2024年間將陸續(xù)投產(chǎn)7、4、3、20A、18A。

　　其中，20A、18A將邁入埃米時(shí)代，大致可以立即為2nm、1.8nm，前者將追平臺積電，后者則最終實(shí)現(xiàn)反超。

　　Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝，PowerVia背部供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。

　　PwoerVia技術(shù)將傳統(tǒng)位于芯片正面的供電層改到背面，與信號傳輸層分離，通過一系列TSV硅穿孔為芯片供電，可以大大降低供電噪聲、電阻損耗，優(yōu)化供電分布，提高整體能效。

　　計(jì)劃6月11-16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，Intel將首次展示PowerVia技術(shù)，不過用的不是20A工藝，而是基于Intel 4工藝的一顆測試芯片，架構(gòu)則是E核。

　　這顆核心的面積僅為2.9平方毫米，得益于PowerVia技術(shù)，大部分區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)單元利用率都超過了90%(圖中橙色區(qū)域)，其余的也基本都在80%之上(圖中綠色區(qū)域)。

　　同時(shí)，PowerVia技術(shù)還帶來了超過5%的頻率提升，吞吐時(shí)間略高但可以接受，功耗發(fā)熱情況符合預(yù)期。

　　除了用于自家產(chǎn)品，Intel也將使用PowerVia技術(shù)為客戶代工，這也是提前展示其能力的一個(gè)原因。