SK海力士開(kāi)發(fā)出可重復(fù)使用的半導(dǎo)體CMP拋光墊技術(shù)

　　根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，SK 海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP 拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強(qiáng) ESG(環(huán)境、社會(huì)、治理)管理。

　　SK 海力士表示可重復(fù)使用的 CMP 拋光墊會(huì)率先部署在低風(fēng)險(xiǎn)工藝中，然后逐步擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。

　　注：CMP 技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。

　　圖源：鼎龍股份

　　在 CMP 制程中，拋光墊的主要作用有：

　　使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);

　　從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);

　　傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷;

　　維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織特征，如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等，可通過(guò)影響拋光液流動(dòng)和分布，來(lái)決定拋光效率和平坦性指標(biāo)。

　　SK 海力士采用 CMP 拋光墊表盤紋理重建方法，從而確�？梢灾貜�(fù)利用拋光墊。

　　韓國(guó)大約 70% 的 CMP 拋光墊采用國(guó)外產(chǎn)品，且對(duì)國(guó)外高度依賴，這項(xiàng)技術(shù)的突破，可以推動(dòng)韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一步自主。