ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

　　~非常適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機驅(qū)動的12款40V和60V耐壓產(chǎn)品~

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站(冷卻風扇)的電機驅(qū)動。

　　近年來,為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅(qū)動的器件,需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外,為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。

　　在這種背景下,ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合,使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)界先進的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外,為了滿足更廣泛的需求,ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)”,產(chǎn)品陣容已達12款。

　　本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻,±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比普通產(chǎn)品低61%(雙極MOSFET的Pch部分比較),有助于進一步降低各種設(shè)備的功耗。此外,通過將兩枚器件集成到一個封裝中,有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化,還有助于減少器件選型(Nch和Pch的組合)的時間。

　　本系列產(chǎn)品已于2021年3月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格 250日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品也已開始電商銷售,可通過電商平臺Ameya360購買。

　　今后,ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品,以擴大本系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應(yīng)用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護等社會問題。

　　<新產(chǎn)品特點>

　　1.實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

　　在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進的雙極MOSFET 中,采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比,Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達61%,Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達39%,有助于降低各種設(shè)備的功耗。

　　2. 具備只有雙極MOSFET才有的特點,有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期

　　通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件,有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。在小型化方面,如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產(chǎn)品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

　　<與預(yù)驅(qū)動器IC組合,可提供更出色的電機驅(qū)動解決方案>

　　通過將本產(chǎn)品與已具有豐碩實際應(yīng)用業(yè)績的ROHM單相和三相無刷電機用預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合,可以進一步考慮電機的小型化、低功耗和靜音驅(qū)動。通過為外圍電路設(shè)計提供雙極MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持,為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅(qū)動解決方案。

　　組合示例

　　■QH8MC5(±60V耐壓Nch+Pch雙極MOSFET)和BD63001AMUV(三相無刷電機預(yù)驅(qū)動器IC)

　　■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET)和BM62300MUV(三相無刷電機預(yù)驅(qū)動器IC)

　　■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET)和BD63002AMUV(三相無刷電機預(yù)驅(qū)動器IC)等

　　<產(chǎn)品陣容>

　　Nch+Pch雙極MOSFET

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　　Nch+Nch雙極MOSFET

　　<應(yīng)用示例>

　　■FA設(shè)備、機器人等工業(yè)設(shè)備和基站用的風扇電機

　　■大型消費電子設(shè)備用的風扇電機

　　<術(shù)語解說>

　　*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

　　金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。 用作開關(guān)元件。

　　*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

　　Pch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

　　可用比低于輸入電壓低的電壓驅(qū)動,因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。

　　Nch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

　　相比Pch MOSFET,漏源間的導(dǎo)通電阻更小,因此可減少常規(guī)損耗。

　　*3) 導(dǎo)通電阻

　　使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,則運行時的損耗(電力損耗)越少。